[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010529175.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111725438A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括非顯示區(qū)和與所述非顯區(qū)相鄰的顯示區(qū),其特征在于,包括如下步驟:
S100:將襯底基板清洗干凈,并在高溫下對(duì)所述襯底基板進(jìn)行處理;
S101:在所述步驟S100處理后的所述襯底基板上設(shè)置至少一無(wú)機(jī)層,并固化處理;
S103:在無(wú)機(jī)層上制備第一膜層,并固化;
S104:在所述非顯示區(qū)對(duì)應(yīng)的所述第一膜層上挖孔,并在所述孔內(nèi)填充透明膜層,并固化所述透明膜層;
S105:將所述透明膜層平整處理,得到所述顯示面板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S100中,所述襯底基板的處理溫度為200℃~1000℃,處理時(shí)間為5min~10min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,通過(guò)旋涂成膜工藝制備所述第一膜層或所述透明膜層,并重復(fù)多次,得到所需厚度的所述第一膜層或所述透明膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在500℃下對(duì)所述透明膜層進(jìn)行處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述透明膜層的光透過(guò)率大于所述第一膜層的光透過(guò)率,所述第一膜層包括聚酰亞胺膜層,所述透明膜層包括透明聚酰亞胺膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述透明聚酰亞胺膜層在可見(jiàn)光下的光透過(guò)率不小于85%,所述透明聚酰亞胺膜層在400nm波長(zhǎng)下的光透過(guò)率不小于40%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在200℃~500℃溫度下對(duì)所述無(wú)機(jī)層進(jìn)行固化處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述無(wú)機(jī)層的材料包括含硅的無(wú)機(jī)材料,所述無(wú)機(jī)層的厚度為1nm~1000nm。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括顯示區(qū)和與所述顯示區(qū)相鄰的非顯示區(qū),所述顯示裝置包括:
襯底基板;
無(wú)機(jī)層,所述無(wú)機(jī)層設(shè)置在所述襯底基板上;
第一膜層,所述第一膜層設(shè)置在所述顯示區(qū)內(nèi)且設(shè)置在所述無(wú)機(jī)層上;以及
透明膜層,所述透明膜層設(shè)置在所述非顯示區(qū)內(nèi)且設(shè)置在所述無(wú)機(jī)層上;
其中,所述透明膜層的光透過(guò)率大于所述第一膜層的光透過(guò)率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一膜層的材料包括聚酰亞胺,所述透明膜層的材料包括透明聚酰亞胺。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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