[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制備方法、OLED顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010528914.0 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111668271B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盧瑞;夏存軍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/66;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法、OLED顯示裝置,該OLED顯示面板通過在封裝層下設置有機功能層,使得有機功能層能夠在接觸水氧時,發(fā)出可視性變化,從而僅需知道有機功能層的變化,即可檢測出封裝效果,檢測時長較短,同時,有機功能層與封裝層的邊界的最小距離大于封裝層的鍍膜精度,從而保證封裝效果,解決了現有柔性顯示器件的檢測封裝效果的手段存在耗時長、不夠直觀的技術問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其是涉及一種OLED顯示面板及其制備方法、OLED顯示裝置。
背景技術
現有顯示器件中,柔性顯示器件由于重量輕、厚度薄、可彎曲、大視角等優(yōu)點,被廣泛應用,但OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)發(fā)光材料對水氧很敏感,少量的水氧入侵就會導致OLED發(fā)光材料失效,從而導致柔性顯示器壽命較低,如圖1所示,現有柔性顯示器件會采用薄膜封裝保護有機器件,但在實踐使用過程中發(fā)現,OLED發(fā)光材料會因封裝不良導致暗點和內縮,表示封裝失效,該封裝失效的主要發(fā)生區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域,因為非發(fā)光區(qū)域無有機膜層緩解應力和包裹顆粒,導致邊緣區(qū)域的顆粒和小孔容易引起水氧入侵,導致封裝失效;同時邊緣區(qū)域的形貌較復雜,導致薄膜封裝層與陣列層之間粘附較差,導致水氧入侵,封裝失效,因此,在封裝后,需要對封裝效果進行測試,以保證封裝效果。
現有檢測封裝效果的技術手段是采用高溫高濕存儲測試,氧氣透過率測試儀、鈣測法測試等測試手段間接表征封裝效果,但是這些檢測手段存在耗時較長,不夠直觀、不能快速有效檢測封裝效果,使得無法較好的檢測柔性顯示器件的封裝效果。
所以,現有柔性顯示器件的檢測封裝效果的手段存在耗時長、不夠直觀的技術問題。
發(fā)明內容
本申請實施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法、OLED顯示裝置,用以解決現有柔性顯示器件的檢測封裝效果的手段存在耗時長、不夠直觀的技術問題。
本申請實施例提供一種OLED顯示面板,該OLED顯示面板包括:
襯底;
驅動電路層,設置于所述襯底上;
發(fā)光功能層,設置于所述驅動電路層上;
封裝層,設置于所述發(fā)光功能層上;
其中,在所述OLED顯示面板的非顯示區(qū),所述封裝層下設有有機功能層,所述有機功能層與封裝層的邊界的最小距離大于所述封裝層的鍍膜精度,所述有機功能層用于在與水氧發(fā)生接觸時,發(fā)出可視性變化。
在一些實施例中,所述有機功能層包括第一有機功能層、以及設置于所述第一有機功能層內的變色粒子,所述變色粒子用于在接觸到水時,出現變色。
在一些實施例中,所述第一有機功能層的材料包括丙烯酸酯類化合物、甲基丙烯酸酯類化合物、異戊二烯類化合物、乙烯基類化合物、環(huán)氧類化合物、氨基甲酸乙酯類化合物、纖維素類化合物、酰亞胺類化合物中的至少一種。
在一些實施例中,所述變色粒子的材料包括無水硫酸銅、二價鐵鹽中的至少一種。
在一些實施例中,所述有機功能層包括第二有機功能層和第一反射層,所述第二有機功能層設置于所述第一反射層與所述封裝層之間。
在一些實施例中,所述第一反射層的材料包括銀、鋁中的至少一種。
在一些實施例中,所述第二有機功能層的材料包括黑色有機光阻。
在一些實施例中,所述有機功能層包括第三有機功能層、第二反射層、以及設置于所述第三有機功能層內的變色粒子,所述變色粒子用于在接觸到水時,出現變色。
同時,本申請實施例提供一種OLED顯示面板制備方法,該OLED顯示面板制備方法包括:
提供襯底;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





