[發(fā)明專利]感測器裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010528635.4 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN112614858A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝馨儀 | 申請(專利權(quán))人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 感測器 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種感測器裝置,包括:
至少一感測器單元,其包括:
至少一感測器元件;
一中間層,設(shè)置于該至少一感測器元件上;
一鈍化層,設(shè)置于該中間層上;
一微透鏡結(jié)構(gòu),設(shè)置于該鈍化層上;
一開口,設(shè)置于該微透鏡結(jié)構(gòu)中;以及
一第一反射層,設(shè)置于該微透鏡結(jié)構(gòu)上,其中該第一反射層從該開口延伸至該鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該第一反射層從該開口的一側(cè)壁延伸至該鈍化層的一頂表面,且該第一反射層的材料對散發(fā)光具有高反射的特性。
3.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該微透鏡結(jié)構(gòu)于剖面中具有一半圓、半橢圓、三角形、長方形或使該微透鏡結(jié)構(gòu)反射光線朝向該至少一感測器元件的其他形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該微透鏡結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一平行光線或具有對應(yīng)至一個感測器元件的一單一焦點、對應(yīng)至兩個感測器元件的兩個焦點,或?qū)?yīng)至三或四個感測器元件的多個焦點。
5.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該至少一感測器單元還包括一第二反射層,其設(shè)置于該中間層與該微透鏡結(jié)構(gòu)之間,其中該開口與該第二反射層重疊,且其中該第二反射層的材料對激發(fā)光具有高反射的特性。
6.如權(quán)利要求5所述的感測器裝置,其中該至少一感測器單元還包括一波導(dǎo)結(jié)構(gòu),其設(shè)置于該第二反射層之上,且其中該開口與該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)重疊。
7.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該中間層包括一濾層、一鈍化材料、一金屬層或前述的組合。
8.如權(quán)利要求7所述的感測器裝置,其中該濾層被該金屬層所環(huán)繞,且其中該濾層包括一單一濾層、一像素化濾層、一斥拒濾層或前述的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的感測器裝置,其中該開口包括一反應(yīng)區(qū),且該反應(yīng)區(qū)對應(yīng)至該至少一感測器元件,且其中該反應(yīng)區(qū)對應(yīng)至一、二、三或四個感測器元件。
10.一種感測器裝置的制造方法,包括:
提供一基板,其包括至少一感測器元件;
于該至少一感測器元件上形成一中間層;
于該中間層上形成一鈍化層;
于該鈍化層上形成一微透鏡結(jié)構(gòu);
于該微透鏡結(jié)構(gòu)上順應(yīng)地形成一第一反射層;以及
移除該第一反射層的一部分與該微透鏡結(jié)構(gòu)的一部分,并于該微透鏡結(jié)構(gòu)中形成一開口,其中該第一反射層從該開口延伸至該鈍化層。
11.如權(quán)利要求10所述的感測器裝置的制造方法,還包括在形成該鈍化層的步驟前,于該中間層上形成一第二反射層,以及于該第一反射層上形成一平坦化層。
12.如權(quán)利要求11所述的感測器裝置的制造方法,還包括在形成該微透鏡結(jié)構(gòu)的步驟前,于該鈍化層上形成一波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的感測器裝置的工藝方法,還包括圖案化該第二反射層以形成一孔洞。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





