[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010528595.3
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112086450A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 李在夏;金夏永;李奉炫;李昭榮;趙庸恩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;G06F30/3947
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上的邏輯單元，所述邏輯單元包括在第一方向上間隔開的第一有源區域和第二有源區域；

在所述第一有源區域上的第一有源圖案和在所述第二有源區域上的第二有源圖案，所述第一有源圖案和所述第二有源圖案在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

在所述第一有源圖案的上部的第一源極/漏極圖案和在所述第二有源圖案的上部的第二源極/漏極圖案；

多個柵電極，跨越所述第一有源圖案和所述第二有源圖案并且在所述第一方向上延伸，所述柵電極在所述第二方向上以第一節距排列；

多個第一配線，在所述柵電極上的第一層間電介質層中，所述第一配線中的每個電連接到所述第一源極/漏極圖案、所述第二源極/漏極圖案或所述柵電極，所述第一配線在所述第二方向上彼此平行地延伸；以及

多個第二配線，在所述第一層間電介質層上的第二層間電介質層中，所述第二配線在所述第一方向上彼此平行地延伸，

其中

所述第一配線包括第一至第三引腳配線，

所述第二配線包括第一至第三布線配線，

所述第一至第三引腳配線分別電連接到所述第一至第三布線配線，

所述第一至第三引腳配線中的每個在所述第二方向上的長度小于所述第一節距的兩倍，

第一重疊區域被限定，在所述第一重疊區域中所述第一至第三引腳配線中的相鄰的引腳配線在所述第一方向上彼此重疊，以及

所述第一重疊區域在所述第二方向上的長度小于所述第一節距。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一配線在所述第一方向上以第二節距排列，

所述第二配線在所述第二方向上以第三節距排列，

所述第三節距小于所述第一節距，以及

所述第三節距大于所述第二節距。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一重疊區域在所述第二方向上的所述長度小于所述第三節距。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中第二重疊區域被限定，在所述第二重疊區域中所述第一至第三引腳配線在所述第一方向上彼此重疊，

其中所述第二重疊區域在所述第二方向上的長度小于所述第三節距。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中第一至第三下配線軌跡在第一金屬層上，

其中所述第一至第三引腳配線分別在所述第一至第三下配線軌跡上。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述邏輯單元具有第一單元邊界和與所述第一單元邊界相反的第二單元邊界，

其中所述第一單元邊界和所述第二單元邊界在所述第二方向上延伸，以及

其中所述第一至第三布線配線中的每個越過所述第一單元邊界和所述第二單元邊界中的至少一個，所述第一至第三布線配線中的每個延伸到所述邏輯單元之外。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一配線還包括在所述第一單元邊界上的第一電源配線和在所述第二單元邊界上的第二電源配線。

8.根據權利要求1的半導體器件，其中

所述第一配線還包括第一內部配線，

所述第二配線還包括第二內部配線，

所述第二內部配線的一端在所述第一有源區域上，所述第二內部配線的另一端在所述第二有源區域上，以及

所述第一內部配線電連接到所述第二內部配線。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括器件隔離層，所述器件隔離層覆蓋所述第一有源圖案的下側壁和所述第二有源圖案的下側壁，

其中所述第一有源圖案和所述第二有源圖案中的每個的所述上部從所述器件隔離層垂直地向上突出。