[發(fā)明專利]一種雙面晶體硅太陽電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010528564.8
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111640824B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈夢超;張夢葛;黃海冰
• 申請（專利權(quán)）人: 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0288
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙面晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一種硅片，選取硅片的一面作為硼摻雜面，另一面作為磷摻雜面；

在硅片表面制備硼摻雜面所需表面形貌；

在硼摻雜面上進(jìn)行硼摻雜，制作硼摻雜層，并在硼摻雜層表面生長一層硼氧化層；通過氫氟酸水上漂的方法去除硼摻雜層制作過程中在磷摻雜面和邊沿形成的繞擴(kuò)硼氧化層；

在磷摻雜面制備磷摻雜面所需表面形貌，同時(shí)去除硼摻雜層制作過程中在磷摻雜面和邊沿形成的繞擴(kuò)硼摻雜層，所述硼氧化層被部分刻蝕或厚度保持不變；

在磷摻雜面上制作電池磷摻雜層，并在磷摻雜面表面生長一層磷氧化層；

通過氫氟酸水上漂的方式去除磷摻雜層制作過程中在磷摻雜面的邊沿形成的繞擴(kuò)磷氧化層；

使用堿拋光的方式去除磷摻雜層制作過程中在磷摻雜面的邊沿形成的繞擴(kuò)磷摻雜層對硅片進(jìn)行邊沿隔離，并同時(shí)去除磷摻雜制作過程中在硼氧化層表面附著的磷元素，堿拋光后，硼氧化層和磷氧化層未被完全刻蝕；

通過氫氟酸清洗的方式去除硼摻雜面剩余的硼氧化層和磷摻雜面剩余的磷氧化層；

對硼摻雜面和磷摻雜面進(jìn)行表面鈍化；

在硼摻雜面和磷摻雜面制備金屬電極；

在硼摻雜層表面生長的硼氧化層的厚度為30-300nm；

在磷摻雜層表面生長的磷氧化層的厚度為3-20nm；

去除繞擴(kuò)硼氧化層的氫氟酸水上漂的條件為：氫氟酸溶液濃度為0.5-40％，工藝時(shí)間為10-1200s；

去除繞擴(kuò)磷氧化層的氫氟酸水上漂的條件為：氫氟酸溶液濃度為0.5-10％，工藝時(shí)間為5-300s；

所述堿拋光的條件是：選用氫氧化鉀或氫氧化鈉的水溶液，堿溶液濃度為0.5-20％，拋光添加劑濃度為0.02-5％，溶液溫度為45-85℃，拋光時(shí)間為10-300s；所述拋光添加劑用于降低氧化層在堿溶液中的反應(yīng)速率。

2.如權(quán)利要求1所述的雙面晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于，在磷摻雜層表面生長的磷氧化層的厚度較制備完磷摻雜面所需表面形貌后的硼氧化層的厚度薄至少5nm。

3.如權(quán)利要求1所述的雙面晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于，硼摻雜層方塊電阻約為20-500Ω/□，磷摻雜層的方塊電阻為20-500Ω/□。

4.如權(quán)利要求1所述的雙面晶體硅太陽電池制備方法，其特征在于，氫氟酸清洗硼氧化層和磷氧化層的條件為：氫氟酸濃度為0.5-30％，清洗時(shí)間為2-120min。

5.一種雙面晶體硅太陽能電池，其特征在于，采用權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)方法制備，包括硅片基底；依次形成于硅片基底一面的硼摻雜層、硼摻雜面鈍化層、硼摻雜面金屬電極；依次形成于硅片基底另一面的磷摻雜層、磷摻雜面鈍化層、磷摻雜面金屬電極。