[發明專利]包含存取線結構的設備及相關方法及電子系統

在審

• 申請號: 202010528544.0
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112216699A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 寺田忍
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

存儲器陣列，其包括字線、位線及存儲器單元，每一存儲器單元耦合到所述字線中的相關聯者及所述位線中的相關聯者，所述字線中的每一者埋入于襯底中且包括：

下導電材料；

上導電材料；及

所述下導電材料與所述上導電材料之間的所述下導電材料的氧化材料。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述下導電材料及所述上導電材料在功函數方面彼此不同。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述下導電材料及所述上導電材料在功函數方面彼此相同。

4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的設備，其中所述下導電材料包括氮化鈦、鎢或釕，且所述上導電材料包括氮化鈦、鎢、釕或多晶硅。

5.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的設備，其中所述氧化材料包括從約1nm到約3nm的厚度。

6.一種設備，其包括：

存取線、數字線及存儲器單元，所述存取線包括：

第一導電材料與第二導電材料之間的經氧化材料，所述經氧化材料包括所述第一導電材料的氧化物。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述經氧化材料在所述第一導電材料與所述第二導電材料之間形成界面。

8.根據權利要求6或權利要求7所述的設備，其中所述第一導電材料包括氮化鈦，所述經氧化材料包括氮氧化鈦，且所述第二導電材料包括多晶硅。

9.根據權利要求8所述的設備，其中所述氮氧化鈦包括化學計量的氮氧化鈦。

10.一種形成設備的方法，其包括：

在基底材料的溝槽中形成第一導電材料；

使所述第一導電材料的部分氧化以在所述溝槽中形成經氧化材料；

在所述溝槽中形成第二導電材料；及

移除所述第二導電材料的部分以使所述第二導電材料在所述溝槽中凹進。

11.根據權利要求10所述的方法，其中在基底材料的溝槽中形成第一導電材料包括在硅材料的隔離溝槽及存取線溝槽中形成所述第一導電材料。

12.根據權利要求10所述的方法，其中使所述第一導電材料的部分氧化以形成經氧化材料包括將所述第一導電材料的部分轉換成所述經氧化材料。

13.根據權利要求10到12中任一權利要求所述的方法，其中使所述第一導電材料的部分氧化以形成經氧化材料包括將所述第一導電材料暴露到氧等離子體。

14.根據權利要求10到12中任一權利要求所述的方法，其中使所述第一導電材料的部分氧化以形成經氧化材料包括將包括氮化鈦、鎢或釕的所述第一導電材料氧化成氮氧化鈦、氧化鎢或氧化釕。

15.根據權利要求10到12中任一權利要求所述的方法，其中使所述第一導電材料的部分氧化以形成經氧化材料包括將所述經氧化材料形成到從約1nm到約3nm的厚度。

16.根據權利要求10到12中任一權利要求所述的方法，其中在所述溝槽中形成第二導電材料包括在所述經氧化材料之上形成所述第二導電材料。

17.根據權利要求10到12中任一權利要求所述的方法，其中移除所述第二導電材料的部分包括在所述溝槽中形成包括所述第一導電材料、所述經氧化材料及經凹進第二導電材料的字線結構。

18.根據權利要求17所述的方法，其中形成字線結構包括在所述基底材料內形成所述字線結構。