[發明專利]包括非易失性儲存電路的半導體存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202010528496.5
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN113096716A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 鄭喆文
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種非易失性儲存裝置，包括：

非易失性儲存電路，包括多個熔絲組，所述多個熔絲組適用于根據計數地址而依次輸出熔絲數據，每個熔絲組包括使能熔絲、多個地址熔絲和重復性熔絲；

讀取控制電路，適用于：接收所述熔絲數據，以及通過利用接收到的熔絲數據中的所述重復性熔絲的數據而有選擇地掩蔽所述使能熔絲和所述地址熔絲的數據來輸出鎖存數據；以及

編程控制電路，適用于根據編程模式信號進行控制：當從外部輸入的修復地址與所述熔絲組之中的重復的熔絲組中的地址熔絲的數據相同時對所述重復的熔絲組的重復性熔絲進行編程，或者將所述修復地址編程到所述熔絲組之中的可用熔絲組中。

2.如權利要求1所述的非易失性儲存裝置，其中，所述讀取控制電路：

在所述重復性熔絲的數據是第一邏輯電平時輸出具有全低比特位的所述鎖存數據，以及

在所述重復性熔絲的數據是第二邏輯電平時輸出所述使能熔絲和所述地址熔絲的數據作為所述鎖存數據。

3.如權利要求1所述的非易失性儲存裝置，其中，所述編程控制電路包括：

重復性分析電路，適用于：在所述修復地址與所述重復的熔絲組中的地址熔絲的數據相同時，存儲與所述重復的熔絲組對應的所述計數地址作為重復性地址以及激活重復性使能信號；

可用性分析電路，適用于：根據所述使能熔絲的數據檢索所述可用熔絲組，存儲與所述可用熔絲組對應的所述計數地址作為可用地址，以及激活可用性使能信號；

編程使能電路，適用于根據所述編程模式信號來輸出所述重復性使能信號或所述可用性使能信號作為編程使能信號；以及

地址選擇電路，適用于根據所述編程模式信號來輸出所述重復性地址或者所述可用地址作為熔絲地址。

4.如權利要求3所述的非易失性儲存裝置，其中，當所述非易失性儲存電路處于所述編程使能信號被激活的狀態時，所述非易失性儲存電路：

在所述編程模式信號為第一邏輯電平時對與所述熔絲地址對應的所述熔絲組的重復性熔絲進行編程，以及

在所述編程模式信號為第二邏輯電平時將所述修復地址編程到與所述熔絲地址對應的所述熔絲組中。

5.如權利要求3所述的非易失性儲存裝置，其中，所述重復性分析電路包括：

比較電路，適用于將所述修復地址與所述重復的熔絲組中的地址熔絲的數據進行比較以生成匹配信號；以及

選擇電路，適用于根據所述匹配信號來存儲與所述重復的熔絲組對應的所述計數地址作為所述重復性地址以及激活所述重復性使能信號。

6.如權利要求3所述的非易失性儲存裝置，其中，在所述使能熔絲的數據是第二邏輯電平時，所述可用性分析電路存儲與所述可用熔絲組對應的所述計數地址作為所述可用地址以及激活所述可用性使能信號。

7.如權利要求1所述的非易失性儲存裝置，其中，所述非易失性儲存電路包括陣列電熔絲。

8.一種非易失性儲存裝置，包括：

非易失性儲存電路，包括多個熔絲組，所述多個熔絲組適用于根據計數地址而依次輸出熔絲數據，每個熔絲組包括使能熔絲、多個地址熔絲和重復性熔絲；

重復性分析電路，適用于：當從外部輸入的修復地址與重復的熔絲組中的地址熔絲的數據相同時，存儲與所述重復的熔絲組對應的所述計數地址作為重復性地址以及激活重復性使能信號；

可用性分析電路，適用于：根據所述使能熔絲的數據檢索可用熔絲組，存儲與所述可用熔絲組對應的所述計數地址作為可用地址，以及激活可用性使能信號；

編程使能電路，適用于：根據編程模式信號來輸出所述重復性使能信號或所述可用性使能信號作為編程使能信號；以及

地址選擇電路，適用于根據所述編程模式信號來輸出所述重復性地址或者所述可用地址作為熔絲地址。