[發(fā)明專利]光模塊波長控制方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010528444.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111638576B | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃首甲;方波;李林春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞銘普光磁股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/42 | 分類號(hào): | G02B6/42;G05D23/24 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張欣欣 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模塊 波長 控制 方法 裝置 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊波長控制方法及裝置,涉及波長控制領(lǐng)域,該方法包括:周期性地采集表征光器件的熱敏電阻實(shí)際溫度的電壓參數(shù);獲取本周期熱敏電阻的目標(biāo)電壓參數(shù)及實(shí)際電壓參數(shù);根據(jù)本周期的熱敏電阻的目標(biāo)電壓參數(shù)及實(shí)際電壓參數(shù),計(jì)算累積電壓參數(shù)偏差值和周期電壓參數(shù)偏差值;根據(jù)本周期的累積電壓參數(shù)偏差值、本周期的周期電壓參數(shù)偏差值及上一周期的電壓參數(shù)偏差值計(jì)算半導(dǎo)體制冷器TEC器件電壓調(diào)整量;根據(jù)TEC器件電壓調(diào)整量控制TEC器件對(duì)光器件進(jìn)行溫度調(diào)整以調(diào)整光模塊的發(fā)光波長。根據(jù)TEC器件電壓調(diào)整量控制TEC器件對(duì)光器件進(jìn)行溫度調(diào)整以達(dá)到調(diào)整光模塊的發(fā)光波長的目的,調(diào)試難度低,溫度可控性較高,能快速穩(wěn)定波長。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及波長控制領(lǐng)域,具體而言,涉及一種光模塊波長控制方法及裝置。
背景技術(shù)
隨著5G技術(shù)的快速發(fā)展和5G基站大規(guī)模部署,中國移動(dòng)推出了5G前Open-WDM/MWDM方案,在重用25G CWDM前6波基礎(chǔ)上,增加半導(dǎo)體制冷器(Thermo Electric Cooler,TEC)來實(shí)現(xiàn)12個(gè)波長,是4G/5G共用基站實(shí)現(xiàn)單纖傳輸?shù)氖走x前傳方案,故開發(fā)25G MWDM波長可調(diào)光模塊迫在眉睫。
現(xiàn)有技術(shù)中心,有些廠家采用純硬件的TEC芯片,導(dǎo)致成本高,硬件調(diào)試難度大,完全依賴硬件芯片,溫度可控性差,波長可調(diào)性差。
有些廠家采用軟件TEC算法來實(shí)現(xiàn)波長可調(diào),但波長切換過程中,光模塊不穩(wěn)定,出現(xiàn)TEC失鎖、波長失控等問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種光模塊波長控制方法及裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下:
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種光模塊波長控制方法,所述光模塊中包括電阻值隨溫度改變的熱敏電阻,所述方法包括:
周期性地采集表征光器件的熱敏電阻實(shí)際溫度的電壓參數(shù),所述分壓參數(shù)隨所述熱敏電阻的電阻值變化;
獲取本周期熱敏電阻的目標(biāo)電壓參數(shù)及實(shí)際電壓參數(shù);
根據(jù)本周期的所述熱敏電阻的目標(biāo)電壓參數(shù)及實(shí)際電壓參數(shù),計(jì)算累積電壓參數(shù)偏差值和周期電壓參數(shù)偏差值,其中,所述周期電壓參數(shù)偏差值為本周期中的所述實(shí)際電壓參數(shù)與目標(biāo)電壓參數(shù)的差值,所述累積電壓參數(shù)偏差值為多個(gè)周期中所述實(shí)際電壓參數(shù)與目標(biāo)電壓參數(shù)的差值的累積值;
根據(jù)本周期的所述累積電壓參數(shù)偏差值、本周期的所述周期電壓參數(shù)偏差值及上一周期的電壓參數(shù)偏差值計(jì)算所述半導(dǎo)體制冷器TEC器件電壓調(diào)整量;
根據(jù)所述TEC器件電壓調(diào)整量控制TEC器件對(duì)所述光器件進(jìn)行溫度調(diào)整以調(diào)整所述光模塊的發(fā)光波長。
在可選的實(shí)施方式中,所述獲取本周期熱敏電阻的目標(biāo)電壓參數(shù)的步驟,包括:
獲取本周期中所述光模塊的目標(biāo)波長;
根據(jù)所述目標(biāo)波長確定所述光模塊的目標(biāo)溫度;
根據(jù)所述目標(biāo)溫度計(jì)算所述熱敏電阻在該目標(biāo)溫度下的目標(biāo)電壓參數(shù)。
在可選的實(shí)施方式中,根據(jù)本周期的所述累積電壓參數(shù)偏差值、本周期的所述周期電壓參數(shù)偏差值及上一周期的電壓參數(shù)偏差值計(jì)算所述半導(dǎo)體制冷器TEC器件電壓調(diào)整量的步驟,包括:
通過以下公式計(jì)算TEC器件電壓調(diào)整量:
Tecadj_dac=Kp*CurError+Ki*SumError+Kd*(CurError-PrevError)
其中,CurError為所述周期電壓參數(shù)偏差值,SumError為所述累積電壓參數(shù)偏差值,PrevError為上一個(gè)周期的所述周期電壓參數(shù)偏差值,Kp、Ki、Kd為PID系數(shù)值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東莞銘普光磁股份有限公司,未經(jīng)東莞銘普光磁股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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