[發明專利]具有透射切換板的熱處理系統及控制其操作的方法有效
| 申請號: | 202010528412.8 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN112086379B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 楊曉晅;羅爾夫·布雷芒斯多費爾 | 申請(專利權)人: | 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京易光知識產權代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔曉光 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 透射 切換 熱處理 系統 控制 操作 方法 | ||
本公開提供了用于處理工件的系統和方法。在一個示例中,該系統包括處理室。該系統包括配置為支撐處理室內的工件的工件支撐件。該系統包括配置為向工件發射光的熱源。該系統包括設置在工件和熱源之間的遮擋件。遮擋件包括可配置為半透明狀態和不透明狀態的電致變色材料。當電致變色材料配置為不透明狀態時,遮擋件減少光透射穿過遮擋件,并且當電致變色材料配置為半透明狀態時,光至少部分地穿過遮擋件。該系統包括控制器,該控制器配置為控制遮擋件,以在熱處理工藝期間減少光透射穿過遮擋件。
優先權要求
本申請要求2019年6月13日提交的序列號為62/861,116、題目為“具有傳動切換板的熱處理系統(Thermal Processing System with Transmission Switch Plate)”的美國臨時申請的優先權益,其通過引用并入本文。
技術領域
本公開總體涉及熱處理系統及控制該熱處理系統的操作的方法。
背景技術
熱處理系統可以限定配置為容納工件(例如半導體晶圓)的處理室。熱處理系統還可以包括配置為加熱工件的熱源(例如,加熱燈)。一些熱處理系統可用于對工件實施尖峰退火工藝。
發明內容
本公開的實施例的各個方面和優點將在下面的具體實施方式中進行部分闡述,或者可以從具體實施方式中知悉,或者可以通過實踐實施例來知悉。
本公開的一個示例方面涉及熱處理系統。該系統包括處理室。該系統包括配置為支撐處理室內的工件的工件支撐件。該系統包括配置為向工件發射光的熱源。該系統包括設置在工件和熱源之間的遮擋件。遮擋件包括可配置為半透明狀態和不透明狀態的電致變色材料。當電致變色材料配置為不透明狀態時,遮擋件減少光透射穿過遮擋件,并且當電致變色材料配置為半透明狀態時,光至少部分地穿過遮擋件。該系統包括控制器,該控制器配置為控制遮擋件,以在熱處理工藝期間減少光透射穿過遮擋件。
本公開的其他示例方面涉及用于對半導體基底進行熱處理的系統、方法、裝置和工藝。
參考以下具體實施方式和所附權利要求,各實施例的這些和其他特征、方面和優點將變得更好理解。被并入并構成本說明書一部分的附圖示出了本公開的實施例,并與具體實施方式一起用于解釋相關原理。
附圖說明
參考附圖,在說明書中面向本領域普通技術人員闡述了實施例的詳細討論,其中:
圖1描繪了根據本公開的示例實施例的熱處理系統;
圖2描繪了根據本公開的示例實施例的熱處理系統的遮擋件的平面圖;
圖3描繪了根據本公開的示例實施例的熱處理系統的遮擋件的截面圖;
圖4描繪了根據本公開的示例實施例的熱處理系統的示例溫度時間曲線;
圖5描繪了根據本公開的示例實施例的熱處理系統的示例溫度時間曲線;
圖6描繪了根據本公開的示例實施例的示例方法的流程圖;以及
圖7描繪了根據本公開的示例實施例的示例方法的流程圖。
具體實施方式
現將詳細參考實施例,其一個或多個示例示于附圖中。提供每個示例用于解釋實施例,而不是限制本公開。實際上,對于本領域技術人員將顯而易見的是,在不脫離本公開的范圍或精神的情況下,可以對實施例進行各種修改和變形。例如,作為一個實施例的一部分所示出或描述的特征可以與另一實施例一起使用,以產生又一實施例。因此,意圖使本公開的各方面覆蓋這樣的修改和變形。
本公開的示例性方面涉及熱處理系統和相關聯的方法,以更嚴格地控制熱處理工藝(例如尖峰退火工藝)期間的溫度曲線。尖峰退火工藝可以是在幾秒鐘或更短時間內將工件加熱到高溫的熱處理工藝。例如,尖峰退火工藝可用于激活工件(如硅晶圓)中的摻雜劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





