[發明專利]發光器件、顯示裝置及發光器件的制備方法在審
| 申請號: | 202010528403.9 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111725276A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 丁玎;方亮 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 顯示裝置 制備 方法 | ||
本申請實施例公開了一種發光器件、顯示裝置及發光器件的制備方法。本實施例通過在顯示屏的顯示區和屏下功能區之間設置一層第一透明電極信號層,使得屏下功能區結構中減少了金屬電極層,因此增加了該屏下功能區的光穿透率,使得該屏下功能區在保證正常顯示效果的情況下,還能提高該屏下區的光穿透率,從而實現高屏占比和屏下傳感功能的結合。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種發光器件、顯示裝置及發光器件的制備方法。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Display,有機發光顯示裝置)具有自動發光功耗低、反應速度快、對比度更高、視角較廣等特點。
傳統的透明顯示器為頂發射式OLED器件,頂發射式OLED包括基底,例如可以是柔性基底,設置在基板上的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)背板層,以及設置在TFT背板層上的反射層。
隨著信息時代的快速發展,手機、電腦等制造業也隨之快速發展,如今手機的功能更加全面化,在顯示功能上,手機的屏占比也顯得極其重要,因此出現屏下功能區的概念,即將攝像、距離感應等傳感功能設置在屏幕下方,但是由于在屏幕中的TFT結構中存在高密度金屬走線,這些金屬走線對光線具有反射作用,極大的影響了光線傳感的正常工作性能。
發明內容
本申請實施例提供一種發光器件、顯示裝置及發光器件的制備方法,通過在顯示屏的顯示區和屏下功能區之間設置一層第一透明電極信號層,使得屏下功能區結構中減少了金屬電極層,因此增加了該屏下功能區的光穿透率,使得該屏下功能區在保證正常顯示效果的情況下,還能提高該屏下區的光穿透率,從而實現高屏占比和屏下傳感功能的結合。
為解決上述問題,第一方面,本申請提供一種發光器件,該發光器件設有顯示區和屏下功能區;所述顯示區包括金屬電極層;所述屏下功能區包括:鈍化層,設置于陣列基板上;第一平坦層,設置于所述鈍化層上;第一透明電極信號層,設置于所述第一平坦層上,其中,所述第一透明電極信號層穿過所述第一平坦層和所述鈍化層與所述金屬電極層電連接;第二平坦層,設置于所述第一平坦層上,并覆蓋所述第一透明電極信號層;陽極,設置于所述第二平坦層上,所述陽極穿過所述第二平坦層與所述第一透明電極信號層電連接。
在一些實施例中,所述發光器件還包括發光器件層,設置于所述第二平坦層上,并覆蓋所述陽極。
在一些實施例中,所述發光器件層包括:
像素定義層,設置于所述第二平坦層上,并覆蓋所述陽極;
第二透明電極信號層,設置于所述像素定義層上,其中,所述第二透明電極信號層穿過所述像素定義層、所述第二平坦層、所述第一平坦層和鈍化層與所述金屬電極層電連接。
在一些實施例中,所述發光器件層還包括:
光阻間隙層,設置于所述像素定義層上,并覆蓋所述第二透明電極信號層。
在一些實施例中,所述像素定義層開設有多個凹槽;所述發光器件層還包括:多個子像素,設置于所述凹槽內,并與所述陽極電連接。
在一些實施例中,所述子像素為紅色子像素、綠色子像素以及藍色子像素中的任意一種。
第二方面,本申請提供一種顯示裝置,包括所述的發光器件以及傳感器,其中,所述傳感器設置于所述屏下功能區。
在一些實施例中,所述傳感器包括攝像頭傳感器、呼吸燈傳感器、距離傳感器、指紋掃描儀傳感器、麥克風傳感器或透明天線傳感器中的一種或其組合。
第三方面,本申請提供一種發光器件的制備方法,所述發光器件設有顯示區和屏下功能區,所述顯示區包括金屬電極層,所述方法包括:
準備陣列基板;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





