[發明專利]通過智能閾值檢測的命令優化在審
| 申請號: | 202010528373.1 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN113467704A | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | R·埃利斯;K·奧圖爾;J·施密爾;T·林德伯格;A·胡塞因;V·嘎魯達 | 申請(專利權)人: | 西部數據技術公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐東升 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通過 智能 閾值 檢測 命令 優化 | ||
本發明題為“通過智能閾值檢測的命令優化”。提供了包括存儲器和控制器的存儲設備的各方面,存儲設備防止對于同一管芯具有相同讀取電壓閾值偏移的設定特征命令的重新傳輸。當控制器接收針對存儲在存儲器中的數據的第一讀取命令時,控制器識別第一參數以修改第一讀取閾值,并且執行用于基于第一參數修改讀取閾值的第一設定特征命令。隨后,當控制器從主機設備接收針對存儲在存儲器中的數據的第二讀取命令時,控制器識別第二參數以修改第二讀取閾值,并且確定第一參數和第二參數是否相同。如果參數相同,則控制器避免執行用于修改第二讀取閾值的第二設定特征命令。因此,可以減少存儲設備的讀取延遲。
背景技術
技術領域
本公開整體涉及電子設備,并且更具體地涉及存儲設備。
存儲設備使得用戶能夠存儲和檢索數據。存儲設備的示例包括非易失性存儲器設備。非易失性存儲器通常在通電循環之后保留數據。非易失性存儲器的示例是閃存存儲器,其可以包括一個或多個管芯上的NAND單元陣列。閃存存儲器可存在于固態設備(SSD)、安全數字(SD)卡等中。
閃存存儲設備可以存儲與數據相關聯的控制信息。例如,閃存存儲設備可維護控制表,該控制表包括邏輯地址到物理地址的映射。該控制表用于跟蹤邏輯扇區或塊在閃存存儲器中的物理位置。控制表存儲在非易失性存儲器中,以使得能夠在通電循環之后訪問存儲的數據。
當閃存存儲設備從閃存存儲器的單元(例如,從諸如塊的存儲器位置)讀取數據時,將單元的讀取電壓與一個或多個讀取電壓閾值進行比較,并且基于比較結果來識別存儲在單元中的數據(例如,邏輯0或1)。在一些情況下,閃存存儲設備可以執行動態讀取,在此期間,可以在每次讀取之前使用設定特征命令來偏移讀取電壓閾值,以便清楚地識別單元中的存儲的數據。然而,在每次讀取之前發送設定特征命令可能相對于讀取感測命令花費大量時間(例如,與對于讀取小于1μs相比,大約2μs),因此增加讀取延遲并影響閃存存儲設備的性能。
發明內容
本文公開了存儲設備的一個方面。存儲設備包括存儲器和控制器。存儲器包括第一存儲器位置和第二存儲器位置。控制器被配置為從主機設備接收針對存儲在第一存儲器位置中的數據的第一讀取命令,識別第一參數以修改與第一存儲器位置相關聯的第一讀取閾值,并且執行用于基于第一參數修改第一讀取閾值的第一設定特征命令。控制器被進一步配置為從主機設備接收針對存儲在第二存儲器位置中的數據的第二讀取命令,識別第二參數以修改與第二存儲器位置相關聯的第二讀取閾值,并且當第二參數與第一參數相同時,避免執行用于修改第二讀取閾值的第二設定特征命令。
本文公開了方法的一個方面。方法包括:從主機設備接收針對存儲在存儲設備的存儲器的第一存儲器位置中的數據的第一讀取命令;識別第一參數以修改與第一存儲器位置相關聯的第一讀取閾值;以及執行用于基于第一參數修改第一讀取閾值的第一設定特征命令。方法還包括:從主機設備接收針對存儲在存儲設備的存儲器的第二存儲器位置中的數據的第二讀取命令;識別第二參數以修改與第二存儲器位置相關聯的第二讀取閾值;以及當第二參數與第一參數相同時,避免執行用于修改第二讀取閾值的第二設定特征命令。
本文公開了存儲設備的另一方面。存儲設備包括存儲器和控制器。存儲器包括第一存儲器位置和第二存儲器位置。控制器被配置為從主機設備接收針對存儲在第一存儲器位置中的數據的第一讀取命令,識別第一參數以修改與第一存儲器位置相關聯的第一讀取閾值,執行用于基于第一參數修改第一讀取閾值的第一設定特征命令,從主機設備接收針對存儲在第二存儲器位置中的數據的第二讀取命令,并且識別第二參數以修改與第二存儲器位置相關聯的第二讀取閾值。存儲設備還包括用于將第一參數與第二參數進行比較的裝置。控制器被進一步配置為基于用于比較的裝置確定第二參數何時與第一參數相同,并且當第二參數與第一參數相同時,避免執行用于修改第二讀取閾值的第二設定特征命令。
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