[發明專利]非易失性存儲器設備及其編程方法

在審

• 申請號: 202010528328.6
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112086111A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 安浩圣;千允洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C29/12;G11C29/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

本文提供了非易失性存儲器設備及其編程方法。所述非易失性存儲器設備包括存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括具有第一字線的多條字線和連接到所述第一字線的多個存儲單元。所述多個存儲單元包括多個監視單元和多個數據單元，每個數據單元被配置為存儲N位數據，N為自然數。所述非易失性存儲器設備被配置為對所述多個數據單元執行第一編程，并且在執行所述第一編程之后，對所述一個或多個監視單元執行與所述第一編程不同的檢測編程。

本申請要求于2019年6月13日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0070018的優先權，并且要求從其獲得的所有權益，該專利申請的內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開涉及非易失性存儲器設備及其編程方法。

背景技術

非易失性存儲器設備是即使電源中斷也不會擦除其中存儲的數據的存儲器設備。非易失性存儲器設備的示例包括可編程只讀存儲器(PROM)、可擦除可編程PROM(EPROM)、電EPROM(EEPROM)、閃存存儲器設備等。在非易失性存儲器設備當中，閃存存儲器設備可以由各種類型的存儲單元構成并且可以根據單元陣列結構大致分為NAND型閃存存儲器設備和NOR型閃存存儲器設備。

同時，在將數據編程到非易失性存儲器設備的存儲單元時，在非易失性存儲器設備中可能發生突然斷電。當在編程操作期間發生斷電時，不能確保編程到存儲單元的數據的可靠性。因此，正在研究能夠確定在將數據編程到存儲單元期間是否發生突然斷電的各種方法。

發明內容

本公開的各方面提供了一種非易失性存儲器設備，該非易失性存儲器設備能夠檢測在將數據編程到存儲單元時是否發生突然斷電，同時最小化對非易失性存儲器設備的性能的影響。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種非易失性存儲器設備，包括：存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括具有第一字線的多條字線和連接到第一字線的多個存儲單元，其中所述多個存儲單元包括一個或多個監視單元和多個數據單元，每個數據單元被配置為存儲N位數據，N為自然數。非易失性存儲器設備被配置為對所述多個數據單元執行第一編程，并且對所述一個或多個監視單元執行與第一編程不同的檢測編程。檢測編程可以在執行第一編程之后執行。

根據本發明構思的一方面，提供了一種存儲設備，包括：非易失性存儲器，該非易失性存儲器包括具有第一字線的多條字線和連接到第一字線的多個存儲單元，其中所述多個存儲單元包括多個監視單元和多個數據單元，每個數據單元被配置為存儲N位數據，N為自然數；以及控制器，被配置為對所述多個數據單元執行第一編程，并且對所述多個監視單元執行與第一編程不同的檢測編程，其中控制器包括突然斷電(sudden power off，SPO)檢測器，并且SPO檢測器被配置為檢測在對所述多個數據單元執行第一編程時是否發生SPO。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種非易失性存儲器設備，包括：存儲單元陣列，包括具有第一字線的多條字線以及均連接到第一字線的多個第一存儲單元和多個第二存儲單元。所述非易失性存儲器設備被配置為對所述多個第一存儲單元執行第一編程，所述多個第一存儲單元中的每個單元被配置為存儲N位數據，N為自然數，并且對作為多個監視單元的多個第二存儲單元執行與第一編程不同的檢測編程。本公開的技術方面不限于上述技術方面，并且本領域技術人員從以下描述中應當清楚地理解以上未提及的本公開的其它技術方面。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本公開的示例性實施例，本公開的上述和其它目的、特征和優點對于本領域普通技術人員將變得更加顯而易見。

圖1A和1B是用于描述根據本公開一些實施例的包括非易失性存儲器設備的數據處理系統的示例性框圖。

圖2A和2B是用于描述根據本公開一些實施例的非易失性存儲器設備的示例性示圖。