[發明專利]一種薄膜體聲波諧振器及其制作工藝

有效

• 申請號: 202010526851.5
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111817679B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 李林萍;盛荊浩;江舟
• 申請（專利權）人: 見聞錄(浙江)半導體有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17
• 代理公司: 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235
• 代理人: 陳遠洋

1.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括設置在聲波反射結構所在襯底的上部的底電極層、壓電層和頂電極層，其中所述壓電層的與所述聲波反射結構的邊界對應的部位經過退極化處理以形成退極化部從而消除所述部位的壓電性，所述退極化部在所述襯底上的投影區域至少從所述聲波反射結構之外的區域跨越到所述聲波反射結構之內。

2.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述退極化部被部分退極化。

3.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述退極化部被全部退極化。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述退極化部是通過將所述壓電層進行選擇性退極化處理后形成的。

5.根據權利要求4所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述退極化處理包括對壓電層中的壓電材料進行離子注入以及退火。

6.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述諧振器包括設置在同一襯底上的多個諧振器，其中在所述多個諧振器之間的區域所具有的壓電層被退極化處理。

7.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波反射結構為空腔。

8.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波反射結構為布拉格反射結構。

9.一種薄膜體聲波諧振器的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在形成或將要形成聲波反射結構的襯底上制作底電極層以覆蓋所述聲波反射結構；

S2、在所述底電極層上制作壓電層；

S3、對所述壓電層的與所述聲波反射結構的邊界對應的部位進行退極化處理以形成退極化部從而消除所述部位的壓電性，所述退極化部在所述襯底上的投影區域至少從所述聲波反射結構之外的區域跨越到所述聲波反射結構之內；以及

S4、在所述壓電層上制作頂電極層。

10.根據權利要求9所述的制作工藝，其特征在于，所述步驟S3具體包括：

S31、在所述壓電層上沉積硬掩膜或涂覆光刻膠，

S32、將所述硬掩膜 或所述光刻膠圖形化以使得所述壓電層的至少與所述聲波反射結構的邊界對應的部位暴露出，

S33、對所述壓電層的暴露部位進行離子注入，

S34、去除所述硬掩膜或光刻膠。

11.根據權利要求10所述的制作工藝，其特征在于，所述S33步驟還包括在離子注入后，對所述壓電層施加退火工藝。

12.根據權利要求10所述的制作工藝，其特征在于，所述S33步驟具體包括控制離子注入過程中的摻雜離子的種類和/或濃度以使得被離子注入后的壓電層材料的居里點低于所述離子注入后的所述諧振器的制作工藝的最高工藝溫度。

13.根據權利要求9-12中任一項所述的制作工藝，其特征在于，所述聲波反射結構為空腔或者布拉格反射結構。

14.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，通過權利要求9-13中任一項所述的制作工藝制成。