[發明專利]一種應用在半導體閥門的金屬對金屬直接密合結構和處理工藝有效
| 申請號： | 202010526240.0 | 申請日： | 2020-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN111623141B | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發明（設計）人： | 王漢清 | 申請（專利權）人： | 江蘇閥邦半導體材料科技有限公司 |
| 主分類號： | F16K7/16 | 分類號： | F16K7/16;C21D1/18;C21D1/26;C21D1/773;C21D9/00;C22F1/02;C22F1/10 |
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| 地址： | 226006 江蘇省南通*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用 半導體 閥門 金屬 直接 結構 處理 工藝 | ||
1.一種應用在半導體閥門的金屬對金屬直接密合結構的處理工藝，其特征在于：密合結構包括金屬隔膜片（1）和容納金屬隔膜片（1）的金屬容腔（2），所述金屬容腔（2）沿圓周方向形成高凸緣臺（3），所述金屬隔膜片（1）放置在金屬容腔（2）內，所述金屬隔膜片（1）的底面接觸高凸緣臺（3）, 高凸緣臺（3）是圓弧形狀的,隔膜片厚度為0.1mm，處理工藝包括以下步驟：
金屬隔膜片（1）進行退火處理，將金屬緩慢加熱到一定溫度950～1150℃，保持足夠時間，然后以適宜的降溫速率冷卻，降溫的速率是：-50～-70℃/s，降溫的同時緩慢的充入高純度氬氣；
金屬容腔（2）沿圓周方向形成的高凸緣臺（3），高凸緣臺（3）與金屬容腔（2）內側壁之間的夾角為銳角，對高凸緣臺（3）進行真空淬火處理，真空淬火的真空度1×10-9 Torr，爐溫800-1000℃，再進行打磨拋光，表面粗糙度Ra＜10 Micro Inch，再測定硬度值HRC60以上。
2.根據權利要求1所述的一種應用在半導體閥門的金屬對金屬直接密合結構的處理工藝，其特征在于：高凸緣臺（3）與金屬容腔（2）內側壁之間的銳角為45°。
3.根據權利要求1所述的一種應用在半導體閥門的金屬對金屬直接密合結構的處理工藝，其特征在于：所述隔膜片采用不銹鋼SUS316L，硬度值HV200。
4.根據權利要求1所述的一種應用在半導體閥門的金屬對金屬直接密合結構的處理工藝，其特征在于：所述隔膜片采用哈氏合金，硬度值HV400。
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