[發(fā)明專(zhuān)利]異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片、疊瓦組件及制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010525759.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111640816A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛建鋒;王月斌;余義;蘇世杰;王秀鵬;石剛;李巖 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 成都曄凡科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0747 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0747;H01L31/028;H01L31/0288;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 劉迎春 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)能電池 組件 制造 方法 | ||
1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片包括基體片、設(shè)置在基體片的頂表面和底表面上的電極,其特征在于,基體片包括:
單晶硅襯底層;
兩組本征非晶硅薄膜層,兩組本征非晶硅薄膜層包括設(shè)置在單晶硅襯底層的頂側(cè)的第一組本征非晶硅薄膜層和設(shè)置在單晶硅襯底層的底側(cè)的第二組本征非晶硅薄膜層,第一組本征非晶硅薄膜層和第二組本征非晶硅薄膜層均各自包括從所述單晶硅襯底層指向電極的方向依次排布的以下四層結(jié)構(gòu):
第一層本征非晶硅薄膜層,第一層本征非晶硅薄膜層為碳同族摻雜硅的整體層狀結(jié)構(gòu);
第二層本征非晶硅薄膜層,第二層本征非晶硅薄膜層為由硅源氣氛沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu);
第三層本征非晶硅薄膜層,第三層本征非晶硅薄膜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅源氣氛的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu);
第四層本征非晶硅薄膜層,第四層本征非晶硅薄膜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅源氣氛、碳源氣氛的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu);
N型摻雜層,N型摻雜層位于所述第一組本征非晶硅薄膜層的頂側(cè);
P型摻雜層,所述P型摻雜層位于所述第二組本征非晶硅薄膜層的底側(cè);
透光導(dǎo)電層,所述透光導(dǎo)電層分別設(shè)置在所述N型摻雜層的頂側(cè)和所述P型摻雜層的底側(cè),并且所述電極設(shè)置在所述透光導(dǎo)電層的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,第一層本征非晶硅薄膜層為由硅烷摻雜烷烴、烯烴、炔烴中的至少一者的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,第三層本征非晶硅薄膜層為由氫氣和硅烷氣體的量的比值為3-15的范圍內(nèi)的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,第四層本征非晶硅薄膜層為由烷烴和氫氣的量的比值在1/20-3/5的范圍內(nèi)的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,N型摻雜層和P型摻雜層均各自包括與第四層本征非晶硅薄膜層接觸的第一層摻雜層和與透光導(dǎo)電層接觸的第二層摻雜層,第一層摻雜層為非晶硅整體層狀結(jié)構(gòu),第二層摻雜層為微晶硅整體層狀結(jié)構(gòu),第二層摻雜層的摻雜濃度大于第一層摻雜層的摻雜濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,
N型摻雜層的第一層摻雜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅烷、磷烷混合的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu);
N型摻雜層的第二層摻雜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅烷、磷烷、二氧化碳混合的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,
P型摻雜層的第一層摻雜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅烷、三甲基硼混合的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu);
P型摻雜層的第二層摻雜層為由含氫氣氛和含氘氣氛中的至少一者和硅烷、硼烷、二氧化碳混合的混合氣體沉積而成的整體層狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,N型摻雜層的第一層摻雜層的磷的摻雜量為14ppm-17ppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,N型摻雜層的第二層摻雜層的結(jié)晶度為40%-65%,N型摻雜層的第二層摻雜層的磷的摻雜量為18ppm-22ppm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,P型摻雜層的第一層摻雜層的硼的摻雜量為14ppm-17ppm。
11.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片,其特征在于,P型摻雜層的第二層摻雜層的結(jié)晶度為40%-65%,P型摻雜層的第二層摻雜層的硼的摻雜量為18ppm-22ppm。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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