[發明專利]水溶性離型劑、導電薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010525471.X
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111694472A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 戴曉
• 申請（專利權）人: 蘇州登石新材科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044;H01B5/14;H01B13/00;C23C14/00;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58
• 代理公司: 蘇州根號專利代理事務所(普通合伙) 32276
• 代理人: 仇波

本發明涉及一種水溶性離型劑，其為表面活性劑和糖類的混合水溶液，具有既能實現良好的離型效果，又有利于導電層生長的特性；還涉及一種利用該水溶性離型劑的導電薄膜的制備方法以及利用該方法制得的導電薄膜，生產過程對環境友好，沒有安全隱患，所制得的導電薄膜均勻性、一致性好，電導率高，導電材料選擇豐富。

【技術領域】

本發明涉及柔性電子制造領域，尤其涉及一種水溶性離型劑，利用該水溶性離型劑的導電薄膜的制備方法及制得的導電薄膜。

【背景技術】

現有技術中制備銀/銅納米線薄膜主要有以下幾個步驟，首先利用化學合成的方法制備銀/銅的納米線分散液，然后將分散液涂敷于透明的柔性基底表面，通過蒸發掉分散液中的溶劑后在基底表面形成一層銀/銅納米線的網絡，從而獲得具有一定導電與透光性能的薄膜。

化學合成的方法需要使用大量的化學試劑、產生大量的有毒有害化學廢液，一是對環境不友好，廢液處理成本高；二是生產過程中存在較多安全隱患；通過涂敷分散液形成的銀/銅納米線網絡是隨機排列的，薄膜均勻性與一致性較差，納米線之間存在界面電阻，從而導致薄膜電阻率遠高于銀/銅的電導率；化學溶液法制備金屬納米線的材料范圍非常有限，例如化學溶液法制備鎢、鉻、鈦等金屬的納米線尚未見有報道。此外，化學溶液法在制備合金納米線、多層金屬復合納米線方面也有很大的局限性。

現有技術中的離型劑，往往不能兼顧離型效果好和有利于導電層生長兩個方面。

【發明內容】

基于此，本發明提供一種利于導電層生長的水溶性離型劑、利用該水溶性離型劑的導電薄膜的制備方法以及制得的導電薄膜，解決現有技術中的對環境不友好，有安全隱患，均勻性、一致性差，電導率低，材料受限等技術問題。

本發明提供了一種水溶性離型劑，其為表面活性劑和糖類的混合水溶液，所述表面活性劑與所述糖類的含量比例為1:10-1:1，所述表面活性劑和所述糖類的總濃度為1％-20％，所述表面活性劑為直鏈烷基苯磺酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸銨、月桂醇硫酸鈉或月桂酰基谷氨酸中的一種或幾種的混合；所述糖類為葡萄糖、麥芽糖、蔗糖或果糖中的一種或幾種的混合。

優選的，所述糖類為麥芽糖。

也提供了一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：步驟一：提供平面鏤空的網格狀模板，使用水溶性離型劑在所述模板上形成水溶性離型層；步驟二：用鍍膜的方法在所述模板的形成有所述水溶性離型層的表面形成導電網格薄膜，獲得初始薄膜；步驟三：從所述初始薄膜直接獲得過渡薄膜，或者將所述初始薄膜的具有所述導電網格薄膜的一面貼附于基底層，獲得過渡薄膜；步驟四：將所述過渡薄膜浸沒于水中，使得所述導電網格薄膜與所述模板分離，獲得導電薄膜。

優選的，所述步驟一包括，將所述模板浸沒于所述水溶性離型劑中1-5分鐘，其后用氣體吹干，所述水溶性離型劑的濃度為5％-10％。

優選的，所述步驟二中，所述導電網格薄膜的厚度為50nm-1μm。

優選的，所述導電網格薄膜為銅膜層且為單層結構，其膜層厚度為200nm-500nm。

優選的，所述導電網格薄膜為多層結構，依次包括第一鋁膜層、第二銅膜層和第三鋁膜層，所述第一鋁膜層的厚度為50nm-150nm，所述第二銅膜層的厚度為300nm-500nm，所述第三鋁膜層的厚度為50nm-150nm。

優選的，所述步驟三還包括在所述導電網格薄膜和所述基底層之間設置一層膠粘層，所述膠粘層的材料為丙烯酸酯、硅膠、紫外固化膠中的一種。

優選的，所述導電網格薄膜的鏤空孔徑為1-500μm，網格線寬為50nm-1μm。

還提供了一種由上述方法制備得到的導電薄膜。