[發(fā)明專利]一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010525378.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111681713B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賀利軍;張金沙;何承運(yùn);趙勃陽;陳偉中 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G16C10/00 | 分類號(hào): | G16C10/00;G16C20/30;G16B5/00;G01N27/26 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275 | 代理人: | 趙榮之 |
| 地址: | 400065 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 包含 相干 作用 聚合物 分子 電學(xué) 性質(zhì) 模型 構(gòu)建 方法 及其 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法及其應(yīng)用,屬于電化學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域。本發(fā)明構(gòu)建的模型是首先獲取待測(cè)分子的分子結(jié)構(gòu),接著對(duì)能量最小化的核酸結(jié)構(gòu)進(jìn)行DFT計(jì)算,以獲得電子哈密頓量;然后再基于Landauer?Büttiker框架開發(fā)的雙螺旋的退相干輸運(yùn)模型,量子輸運(yùn)計(jì)算使用Landauer?Büttiker框架進(jìn)行。與現(xiàn)有技術(shù)中的模型相比較,本發(fā)明使用格林函數(shù)公式和Büttiker探針來實(shí)現(xiàn)將兩電級(jí)及外界環(huán)境的耦合作用加以考慮,用該模型來解釋實(shí)驗(yàn)結(jié)果。本發(fā)明構(gòu)建的模型適用于對(duì)核酸分子、生物大分子、天然高分子、合成高分子等聚合物的電導(dǎo)率、有效電荷傳輸率等電學(xué)性質(zhì)的檢測(cè)分析。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電化學(xué)領(lǐng)域,具體涉及一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
核酸在許多生物系統(tǒng)和活動(dòng)中起著至關(guān)重要的作用。近年來,工程師和科學(xué)家對(duì)研究其電性能一直很感興趣,這些研究的動(dòng)機(jī)源于以下事實(shí):(1)構(gòu)成核酸構(gòu)件的堿基具有獨(dú)特的電離勢(shì),此外核酸是可以以高精確度可重復(fù)生產(chǎn)的少數(shù)納米材料之一。因此,具有特定序列的設(shè)計(jì)鏈可能會(huì)提供獨(dú)特的設(shè)備特性;(2)電學(xué)方法為基于單個(gè)分子的核酸測(cè)序提供了潛力;(3)基于核酸流過的電流的疾病檢測(cè)的電學(xué)方法開始被證明。
盡管在上述領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)是有希望的,但是需要發(fā)展對(duì)通過核酸的電流的更深入的了解。而要在這些分子中流動(dòng)的電流的建模很復(fù)雜,其原因在于:(1)它們基于核酸和金屬之間的原子級(jí)接觸,無法以可復(fù)制的方式建立;(2)核酸的電導(dǎo)率容易受到環(huán)境的影響,環(huán)境是不斷變化的;(3)核酸本身具有軟性。
因此為了能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)核酸之類的大分子電性能研究過程中存在的缺陷,需要開發(fā)一種新的包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的之一在于提供一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法;本發(fā)明的目的之二在于提供一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型在檢測(cè)聚合物分子電導(dǎo)率中的應(yīng)用。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
1.一種包含退相干作用的聚合物分子電學(xué)性質(zhì)的模型構(gòu)建方法,所述方法包括如下步驟:
(1)獲取待測(cè)分子的結(jié)構(gòu)信息;
(2)本模型中將所述待測(cè)分子置于兩個(gè)納米級(jí)金屬電極之間進(jìn)行模擬電測(cè)量;
(3)將所述結(jié)構(gòu)信息用于Gaussian計(jì)算中完成密度泛函理論(DFT)計(jì)算得到哈密頓量H;
(4)用現(xiàn)象學(xué)Büttiker探針,將所述待測(cè)分子中電子與分子的晶格振動(dòng)以及周圍的電磁場(chǎng)之間的相互作用考慮入內(nèi),構(gòu)建包含退相干作用的模型,得到費(fèi)米能量E處的延遲格林函數(shù)GrM,
其中E為費(fèi)米能量,單位為eV、H為步驟(3)中所述哈密頓量,單位為eV、I為與H大小相同的單位矩陣,單位為1、∑Lr為左電極的超前自能,單位為eV、∑Rr為右電極的超前自能,單位為eV、∑B為Büttiker探針產(chǎn)生的自能,單位為eV;
(5)計(jì)算相干傳輸率T(E),
T(E)=Trace(ΓLGrMΓRGaM) (2),
其中ΓL和ΓR表示將待測(cè)分子放置在左電極或右電極附近時(shí)分子能級(jí)的擴(kuò)展,單位為eV、GaM為超前格林函數(shù),單位為eV;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶郵電大學(xué),未經(jīng)重慶郵電大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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