[發(fā)明專利]一種全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010524959.0 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111584732B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 苗艷勤;趙亞萍;郭園園;尹夢娜;趙波;王華;許并社 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 太原華弈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 14108 | 代理人: | 李毅 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 全激基 發(fā)射 白光 有機 發(fā)光二極管 | ||
1.一種全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,包括陰極、陽極和發(fā)光層單元,所述發(fā)光層單元為三明治結(jié)構(gòu)的全激基發(fā)光單元,由三個激基發(fā)射層組成;
其中,第一激基發(fā)射層靠近陽極一側(cè),是由第一電子給體材料摻雜第二電子受體材料形成的共摻雜薄膜,第二激基發(fā)射層位于全激基發(fā)光單元中間,是由第二電子給體材料摻雜第二電子受體材料形成的共摻雜薄膜,第三激基發(fā)射層靠近陰極一側(cè),是由第二電子給體材料摻雜第一電子受體材料形成的共摻雜薄膜;
所述三個激基發(fā)射層的發(fā)光顏色互補,復(fù)合形成白光發(fā)射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是所述三個激基發(fā)射層形成兩種藍光發(fā)射和一種黃光發(fā)射,或者形成兩種黃光發(fā)射和一種藍光發(fā)射,組合形成藍-黃-藍、黃-藍-黃、藍-藍-黃或黃-藍-藍的全激基發(fā)光單元,三個激基發(fā)射層發(fā)出的藍光和黃光復(fù)合實現(xiàn)白光發(fā)射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是所述三個激基發(fā)射層各自形成一種三基色光發(fā)射,組合形成藍-綠-紅、藍-紅-綠、綠-紅-藍、綠-藍-紅、紅-藍-綠或紅-綠-藍的全激基發(fā)光單元,三個激基發(fā)射層發(fā)出的藍、綠及紅光三基色復(fù)合形成白光發(fā)射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是所述第一電子給體材料和第二電子給體材料為強空穴傳輸性能材料mCP、TPD、TAPC、TCTA、m-MTDATA中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是所述第一電子受體材料和第二電子受體材料為強電子傳輸性能材料PO-T2T、Bphen、TPBi、B4PYPPM、TpPyPB中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是在所述全激基發(fā)光單元的兩側(cè)設(shè)置有空穴傳輸層和電子傳輸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是所述空穴傳輸層材料與第一激基發(fā)射層中的第一電子給體材料相同,所述電子傳輸層材料與第三激基發(fā)射層中的第一電子受體材料相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是在所述空穴傳輸層外側(cè)設(shè)置一層由與所述第一電子給體材料不同的空穴傳輸材料構(gòu)成的第二空穴傳輸層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是在所述電子傳輸層外側(cè)設(shè)置一層由與所述第一電子受體材料不同的電子傳輸材料構(gòu)成的第二電子傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、6、7、8或9任一所述的全激基發(fā)射的白光有機發(fā)光二極管,其特征是在所述白光有機發(fā)光二極管的陽極內(nèi)側(cè)引入空穴注入層,陰極內(nèi)側(cè)引入電子注入層。
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