[發(fā)明專利]減少非型閃存編程泵面積的方法、系統(tǒng)、儲(chǔ)存介質(zhì)和終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010524808.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-10
• 公開（公告）號(hào): CN111785308B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 溫靖康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 芯天下技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C5/14
• 分類號(hào): G11C5/14;G11C16/30;G11C16/10;G11C16/08
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發(fā)明公開了一種減少非型閃存編程泵面積的方法、系統(tǒng)、儲(chǔ)存介質(zhì)和終端，通過將編程字線電壓的負(fù)載進(jìn)行了劃分，編程字線電壓電荷泵只需要負(fù)責(zé)一塊被選中編程的存儲(chǔ)單元陣列的狀態(tài)切換，每次電壓切換只需要對(duì)一塊存儲(chǔ)單元陣列的負(fù)載電容進(jìn)行充放電，不會(huì)增加編程字線電壓的建立時(shí)間，縮短了編程流程時(shí)間；而且本技術(shù)方案適用于各種容量的非易失性存儲(chǔ)器，尤其是在高容量非易失性存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)中，不但滿足縮短編程流程時(shí)間的要求，同時(shí)節(jié)省了編程字線電荷泵的電路面積，節(jié)省了芯片的面積，從而降低了非易失性存儲(chǔ)器在晶圓端的制造成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種減少非型閃存編程泵面積的方法、系統(tǒng)、儲(chǔ)存介質(zhì)和終端。

背景技術(shù)

在非易失性存儲(chǔ)器的電路設(shè)計(jì)中，電荷泵電路是一個(gè)非常主要的組成部分，非易失性存儲(chǔ)器芯片的寫操作需要電荷泵輸出一個(gè)特定的電壓或者電流讓非易失性存儲(chǔ)器單元工作在一個(gè)正確的狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)正確的寫功能，而且在非易失性存儲(chǔ)器芯片中，電荷泵電路所占用的面積是芯片外圍電路（芯片外圍電路即非易失性存儲(chǔ)器芯片內(nèi)除存儲(chǔ)單元陣列、行解碼和列解碼外的電路）面積的主要組成部分，電荷泵電路占用的面積往往決定了非易失性存儲(chǔ)器芯片在晶圓端的成本。

這里選取非易失性存儲(chǔ)器之一的NOR Flash為例，以下圖1是NOR Flash存儲(chǔ)器中對(duì)存儲(chǔ)器單元的寫操作示意圖。從圖1可以看到，NOR Flash寫操作需要電荷泵工作在正確的狀態(tài)，數(shù)據(jù)編程時(shí)需要電荷泵輸出8.4V左右的電壓給到存儲(chǔ)單元的柵端（字線），同時(shí)另一個(gè)電荷泵輸出一個(gè)3.9V電壓給到存儲(chǔ)單元的漏端（位線）。

在高容量NOR Flash中，因?yàn)榫幊屉姾杀梦磳?duì)存儲(chǔ)單元陣列的電容負(fù)載進(jìn)行劃分（這個(gè)電容負(fù)載大小和芯片的存儲(chǔ)容量成正比），會(huì)導(dǎo)致圖2中的編程字線電壓建立時(shí)間和編程校驗(yàn)字線電壓建立時(shí)間大幅增加，從而極大地增加了整個(gè)編程流程的時(shí)間。如果想要縮短這些建立時(shí)間，需要大幅增加高容量NOR Flash編程字線電荷泵電路的面積，增加芯片的面積，從而增加芯片在晶圓端的制造成本。

因此，現(xiàn)有的技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種減少非型閃存編程泵面積的方法、系統(tǒng)、儲(chǔ)存介質(zhì)和終端，旨在解決編程電荷泵同時(shí)對(duì)所有儲(chǔ)存單元陣列的電容負(fù)載進(jìn)行供壓，導(dǎo)致需要通過增加編程電荷泵面積的方法來縮短編程流程時(shí)間的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種減少非型閃存編程泵面積的方法，其中，具體包括以下步驟：

S1：判斷非易失性存儲(chǔ)器芯片中的塊是否被選中進(jìn)行編程流程，是則跳轉(zhuǎn)至S2，否則跳轉(zhuǎn)至S3；

S2：被選中進(jìn)行編程操作的塊的電容負(fù)載由編程字線電壓電荷泵供壓實(shí)現(xiàn)編程流程；

S3：未被選中的塊由電源電壓實(shí)現(xiàn)供壓。

本技術(shù)方案中，在NOR Flash進(jìn)入到編程操作之后，將選中的塊和未選中的塊分別連接字線編程電壓和電源電壓，在被選中的塊的狀態(tài)切換時(shí)，編程字線電壓電荷泵A2提供的字線編程電壓的切換只需要針對(duì)被選中塊的負(fù)載電容進(jìn)行充放電，不會(huì)增加狀態(tài)切換時(shí)字線電壓的建立時(shí)間，可以提高編程流程的時(shí)間，但不需要增加編程字線電壓電荷泵的面積來實(shí)現(xiàn)。

所述的減少非型閃存編程泵面積的方法，其中，所述電源電壓為非易失性存儲(chǔ)器芯片的供電電壓。

本技術(shù)方案中，因?yàn)榫幊滩僮鞑粫?huì)跨越塊地址，所以未選中的塊的地址范圍內(nèi)接電源電壓沒有影響，同時(shí)還可以節(jié)省能耗。

所述的減少非型閃存編程泵面積的方法，其中，所述編程流程包括以下步驟：

s11：判斷被選中進(jìn)行編程操作的塊的電容負(fù)載電壓是否達(dá)到預(yù)設(shè)的編程前字線電壓預(yù)設(shè)值，是則跳轉(zhuǎn)至s12，否則跳轉(zhuǎn)至s11；

s12：使被選中進(jìn)行編程操作的塊處于編程字線電壓供壓狀態(tài)，對(duì)被選中進(jìn)行編程操作的塊進(jìn)行編程操作；