[發明專利]一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構在審
| 申請號： | 202010524736.4 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111711067A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 石琳琳;王嬌嬌;馬曉輝;鄒永剛;徐莉;李巖;金亮;張賀;李衛巖 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京市誠輝律師事務所 11430 | 代理人： | 朱偉軍 |
| 地址： | 130022 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多單管 半導體激光器 雙面 冷卻 封裝 結構 | ||
1.一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
包括基礎熱沉(9)、絕緣熱沉(4)，所述絕緣熱沉(4)設置在基礎熱沉(9)上，所述絕緣熱沉(4)上設置有至少兩個次級熱沉；
所述相鄰兩個次級熱沉之間設置一個半導體激光器。
2.根據權利要求1所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述絕緣熱沉(4)焊接在基礎熱沉(9)上。
3.根據權利要求2所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述次級熱沉焊接在絕緣熱沉(4)上。
4.根據權利要求1-3任一所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述基礎熱沉(9)為無氧銅材料。
5.根據權利要求4所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述絕緣熱沉(4)為ALN材質。
6.根據權利要求5所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述次級熱沉為銅鎢材料，也可為金剛石或銅基金剛石材料。
7.根據權利要求6所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述半導體激光器為邊發射式單管半導體激光器。
8.根據權利要求7所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述邊發射式半導體激光器采用COS封裝結構。
9.根據權利要求4所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述次級熱沉包括第一次級熱沉(5)、第二次級熱沉(6)、第三次級熱沉(7)、第四次級熱沉(8)。
10.根據權利要求9所述的一種多單管半導體激光器雙面冷卻封裝結構，其特征在于：
所述半導體激光器包括第一半導體激光器(1)、第二半導體激光器(2)、第三半導體激光器(3)；
第三半導體激光器(3)的P面與第一次級熱沉(5)焊接，N面與第二次級熱沉(6)焊接；半導體激光器的P面與第二次級熱沉(6)焊接，N面與第三次級熱沉(7)焊接；半導體激光器的P面與第三次級熱沉(7)焊接，N面與第四次級熱沉(8)焊接。
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