[發明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202010524012.X | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111624821B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 艾飛;宋德偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1339 | 分類號: | G02F1/1339;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本申請公開了顯示面板及其制備方法,該顯示面板包括:陣列基板,陣列基板的上方凸設有第一凸起;彩膜基板,彩膜基板與陣列基板相對設置;支撐結構,支撐結構設置在陣列基板與彩膜基板之間,支撐結構的一端與彩膜基板的側面連接,支撐結構的另一端支撐在陣列基板的側面,第一凸起嵌入支撐結構內。本發明提供的顯示面板,通過在顯示面板的陣列基板上靠近彩膜基板的一側制備形成一凸起,使得與彩膜基板相連的支撐結構在彩膜基板和陣列基板對位貼合時,該凸起能夠嵌入支撐結構中,避免支撐結構滑動,產生錯位風險,引起顯示面板顯示異常。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用,成為顯示裝置中的主流。特別是LTPS低溫多晶硅顯示技術,可以改善面板亮點和高分辨率,降低面板功耗,從而獲得更好的視覺體驗。為了降低低溫多晶硅陣列基板的生產成本和周期,我們提出了8掩膜版(Mask)工藝技術,制備具有內嵌式觸控技術(In Cell Touch)功能的低溫多晶硅陣列基板。
而在工藝開發過程中,彩膜基板貼合時,支撐柱(photo space,ps)站位需要站在源漏極金屬層的金屬走線上,由于8mask工藝省略了平坦化層(Plana-rizatio,PLN)導致后續的陣列基板表面凹凸不平,源漏極金屬層的金屬走線的位置更加突出明顯,支撐柱站在源漏極金屬層上后容易產生滑動錯位風險,導致聚酰亞胺膜層等相關膜層受損,引起顯示面板顯示異常。
發明內容
本申請提出一種顯示面板及其制備方法,旨在改變現有技術下的顯示面板,支撐柱容易滑動產生錯位風險,影響顯示的問題。
第一方面,本申請提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
陣列基板,所述陣列基板的上方凸設有第一凸起;
彩膜基板,所述彩膜基板與所述陣列基板相對設置;
支撐結構,所述支撐結構設置在所述陣列基板與所述彩膜基板之間,所述支撐結構的一端與所述彩膜基板的側面連接,所述支撐結構的另一端支撐在所述陣列基板的側面,并與所述第一凸起抵接。
進一步的,所述陣列基板還包括:
玻璃基板;
緩沖層,所述緩沖層制備在所述玻璃基板的上方;
薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層制備在所述緩沖層的上方;
鈍化層,所述鈍化層制備在所述薄膜晶體管層的上方,所述第一凸起凸設于所述鈍化層上。
進一步的,
所述薄膜晶體管層包括:
有源層;
柵極絕緣層,所述柵極絕緣層制備在所述有源層的上方;
柵極層,所述柵極層制備在所述柵極絕緣層的上方;
層間介電層,所述層間介電層制備在所述柵極層的上方;
源漏極層,所述源漏極層制備在所述層間介電層的上方。
進一步的,所述源漏極上形成第二凸起,所述鈍化層覆蓋在所述源漏極層上,以使所述鈍化層上對應所述第二凸起的位置形成所述第一凸起。
進一步的,所述柵極層包括柵極線和第三凸起,所述源漏極層覆蓋在所述第三凸起上,以使所述源漏極層上對應所述第三凸起的位置形成所述第二凸起。
進一步的,所述支撐結構靠近所述陣列基板的一側設置有凹槽,所述凹槽與所述第一凸起對應設置,所述支撐結構通過所述凹槽和所述第一凸起的嚙合作用與所述陣列基板抵接。
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