[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 202010523879.3 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN112083611B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 岡田訓明;吉田圭介 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 董煜晗 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其具備有源矩陣基板,所述有源矩陣基板具有排列成包含多行以及多列的矩陣狀的多個像素;以及沿著行方向延伸的多條掃描配線以及沿著列方向延伸的多條信號配線,所述顯示裝置的特征在于,
所述有源矩陣基板在所述多個像素的每一個中具有:
TFT,其具有半導體層、柵極絕緣層、柵極電極、源極電極以及漏極電極;
絕緣層,其實質上覆蓋所述TFT;
像素電極,其由透明導電材料形成,并電連接于所述TFT;
彩色濾光片,其位于所述TFT與所述像素電極之間;以及
中間層電極,其由透明導電材料形成,且至少一部分位于所述絕緣層與所述彩色濾光片之間,并將所述TFT的所述漏極電極與所述像素電極電連接,
在所述彩色濾光片中所形成的接觸孔中,所述像素電極與所述中間層電極連接,
從顯示面法線方向觀察時,所述接觸孔與所述TFT的所述柵極電極至少部分重疊,
當將由所述多條掃描配線中的彼此相鄰的兩條掃描配線和所述多條信號配線中的彼此相鄰的兩條信號配線包圍的區域稱為像素開口區域時,所述像素開口區域包括形成有所述絕緣層的第一區域和未形成有所述絕緣層的第二區域,
除了所述多條掃描配線、所述多條信號配線以及所述TFT的上方和它們的附近以外,未形成有所述絕緣層。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
從顯示面法線方向觀察時,在所述像素開口區域內,所述第二區域所占比例為30%以上。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述TFT的所述漏極電極由金屬材料形成,在所述像素開口區域中的所述第二區域中,所述TFT的所述漏極電極與所述中間層電極連接。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述TFT的所述漏極電極是與所述中間層電極一體形成的透明漏極電極,在所述像素開口區域中的所述第二區域中,所述透明漏極電極與所述半導體層連接。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述有源矩陣基板在所述多個像素的每一個中還具有設置在所述柵極電極的下方的遮光層。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
從顯示面法線方向觀察時,所述遮光層包含與所述柵極電極重疊的部分和與所述柵極電極不重疊的部分。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述TFT的所述半導體層為氧化物半導體層。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,
所述氧化物半導體層包含In-Ga-Zn-O系半導體。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,
所述In-Ga-Zn-O系半導體包含結晶部分。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述顯示裝置為液晶顯示裝置,所述液晶顯示裝置還包括:
對置基板,與所述有源矩陣基板對置;以及
液晶層,其設置在所述有源矩陣基板與所述對置基板之間。
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