[發明專利]基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 202010523863.2 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111690159A | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 楊槐;張帥峰;張蘭英;李辰悅;木新;王孝 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L29/10;C08L51/08;C08F283/06;C08F220/18;C08F220/20;C08F216/14;C08F216/12;C08K3/30;C08K3/32;C08K3/16;C08F2/48;C09K11/02;C09K11/8 |
| 代理公司： | 石家莊科誠專利事務所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 賀壽元;王宇佳 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 乙烯基 液晶 高分子 聚合 量子 薄膜 制備 方法 | ||
1. 一種基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，該制備方法包括依次進行的以下步驟：
1）制備中間產物C
取紫外聚合乙烯基醚液晶混合物、紫外聚合丙烯酸酯單體混合物、量子點和光引發劑混勻，所得混合物B加至液晶盒中，得中間產物C；
2）制備基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜
中間產物C依次經自由基聚合反應、陽離子聚合反應后，制得所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜。
2.根據權利要求1所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，
所述自由基聚合反應是在273.2~303.2K、紫外光輻照條件下進行；中間產物C中的紫外聚合丙烯酸酯單體混合物進行自由基聚合反應后，所得丙烯酸酯高分子基體與紫外聚合乙烯醚液晶混合物發生微相分離，得中間產物D；
所述陽離子聚合反應是在273.2~303.2K、紫外光輻照條件下進行；中間產物D中的紫外聚合乙烯醚液晶混合物進行陽離子聚合反應后，即得所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜。
3.根據權利要求2所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，
所述自由基聚合反應的紫外光輻照條件為波長365nm、光輻照強度為0.01~1.0mW/cm2、光輻照時間為0.1~5min；
所述陽離子聚合反應的紫外光輻照條件為波長365nm、光輻照強度為10.0~30.0mW/cm2、光輻照時間為5~40min。
4.根據權利要求1所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，以重量份數計，制成混合物B的原料包括：紫外聚合乙烯基醚液晶混合物40~80份、紫外聚合丙烯酸酯單體混合物12.0~58.89份、量子點0.01~1.0份和光引發劑1.1~7.0份。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，紫外聚合乙烯基醚液晶混合物，以重量份數計，是取80~95份化合物Ⅰ、5.0~15.0份化合物Ⅱ和0.1~5.0份化合物Ⅲ混合后所得；
其中，化合物Ⅰ的化學結構式為：，n1為1~10中任一整數；
化合物Ⅱ的化學結構式為：，n2為1 ~6中任一整數；
化合物Ⅲ的化學結構式為：，n3為1~6中任一整數。
6.根據權利要求1-4中任一項所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子點薄膜的制備方法，其特征在于，紫外聚合丙烯酸酯單體混合物為混合物X、混合物Y或混合物Z；
其中，混合物X是取乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸十二烷基酯和羥丙基丙烯酸酯混合后所得；
混合物Y是取乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、2-（全氟辛基）乙基甲基丙烯酸酯和1H，1H-全氟丙基甲基丙烯酸酯混合后所得；
混合物Z是取乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、羥丙基丙烯酸酯、2-（全氟辛基）乙基甲基丙烯酸酯和1H，1H-全氟丙基甲基丙烯酸酯混合后所得。
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