[發明專利]陣列基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202010523474.X | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111710684A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 姚學彬;彭邦銀;金一坤 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
本申請提出了一種陣列基板及顯示面板,所述陣列基板包括襯底基板、設置于襯底基板上的薄膜晶體管層;薄膜晶體管層包括第一金屬層及第二金屬層;第一金屬層包括至少一條第一金屬走線,第二金屬層包括至少一條第二金屬走線,薄膜晶體管層包括走線跨線區,第一金屬走線在所述襯底基板上的正投影與第二金屬走線在所述襯底基板上的正投影在所述走線跨線區內重疊;第一金屬層與第二金屬層之間設有阻隔層,且阻隔層至少覆蓋走線跨線區;通過在第一金屬層與第二金屬層之間設置阻隔層,且阻隔層至少覆蓋走線跨線區,從而防止第一金屬走線與第二金屬走線在走線跨線區處發生短路,提高第一金屬走線與第二金屬走線在走線在走線跨線區的穩定性。
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,在諸如頻率120Hz和8K像素等高刷新率和高分辨率的顯示面板中,由于顯示面板解析度越來越大,刷新頻率越來越高,使得顯示面板的充電負載越來越大,目前,為了保證顯示面板的充電率,會采用增加金屬走線厚度的方式,但此種方式由于金屬走線厚度增加,導致在例如M1和M2等不同層金屬走線在相互交錯跨線(MetalCross)的位置,增加了金屬走線跨線爬坡的坡度且升高了金屬走線的地勢,增加了不同層金屬走線在相互交錯跨線的位置產生短路的風險,尤其是在等高刷新率和高分辨率的顯示面板中,像素單元數量的增加,不同層金屬走線相互交錯跨線的位置數量也會增加,不同層金屬走線在相互交錯跨線的位置產生短路的風險更進一步提高。
因此,亟需一種顯示面板以解決上述技術問題。
發明內容
本申請提供一種陣列基板及顯示面板,以解決高刷新率和高分辨率的顯示面板中,不同層金屬走線相互交錯跨線的位置容易短路的技術問題。
為解決上述問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供了一種陣列基板,包括襯底基板、設置于所述襯底基板上的薄膜晶體管層;
所述薄膜晶體管層包括第一金屬層、及設置于所述第一金屬層上方的第二金屬層;所述第一金屬層包括至少一條第一金屬走線,所述第二金屬層包括至少一條第二金屬走線,所述薄膜晶體管層包括走線跨線區,所述第一金屬走線在所述襯底基板上的正投影與所述第二金屬走線在所述襯底基板上的正投影在所述走線跨線區內重疊;
所述第一金屬層與所述第二金屬層之間設有阻隔層,且所述阻隔層至少覆蓋所述走線跨線區。
在本申請提供的陣列基板中,所述第一金屬層還包括柵極,所述薄膜晶體管層還包括設置于所述柵極上方的有源層,所述第二金屬層還包括分別與所述有源層兩端連接的源漏極,所述有源層的材料與所述阻隔層的材料相同,且所述有源層與所述阻隔層為一體成型結構。
在本申請提供的陣列基板中,所述第一金屬層與所述第二金屬層之間設有覆蓋所述第一金屬層的絕緣層,所述阻隔層設置于所述絕緣層靠近所述第二金屬層的一側。
在本申請提供的陣列基板中,所述有源層與所述阻隔層的厚度相同。
在本申請提供的陣列基板中,所述第一金屬層包括多條所述第一金屬走線,所述第二金屬層包括多條所述第二金屬走線,所述走線跨線區包括多個跨線子區,多條所述第一金屬走線在所述襯底基板上的正投影與多條所述第二金屬走線在所述襯底基板上的正投影分別在各所述跨線子區內重疊;
所述阻隔層包括與多個所述跨線子區一一對應的多個阻隔子層,所述阻隔子層至少覆蓋對應的所述跨線子區。
在本申請提供的陣列基板中,多個所述阻隔子層中,相鄰的部分所述阻隔子層連為一體。
在本申請提供的陣列基板中,連為一體的部分所述阻隔子層沿其中一所述第一金屬走的線延伸方向排布或沿其中一所述第二金屬走線的延伸方向排布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





