[發(fā)明專利]摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010523390.6
• 申請(qǐng)日: 2020-06-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113782675A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞旺;楊隆凱;劉克永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大正（江蘇）微納科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 劉繼富;王春偉

1.一種摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其包括導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層以及金屬電極，其中，所述鈣鈦礦吸光層中包含鈣鈦礦化合物ABX₃和青蒿素類化合物，所述青蒿素類化合物選自青蒿素、青蒿琥酯、雙氫青蒿素、蒿甲醚及蒿乙醚中的任一種；

所述ABX₃中的A選自MA、FA和Cs中的至少一種，B選自Pb，X選自I。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述青蒿素類化合物在所述鈣鈦礦吸光層中的含量為5.9×10^-6～7.08×10^-5mol/cm³。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述鈣鈦礦化合物中還包含Br或Cl中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述ABX₃選自MAPbI₃、FAPbI₃、CsPbI₃、(MAPbCl₃)_Y(MAPbI₃)_1-Y、(MAPbBr₃)_Y(MAPbI₃)_1-Y或其復(fù)合物中的至少一種，0≤Y≤1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，所述鈣鈦礦化合物中還包含Rb、K、(RbPbCl₃)_Z(KPbCl₃)_W、(RbPbBr₃)_Z(KPbBr₃)_W以及(RbPbI₃)_Z(KPbI₃)_W中的至少一種，0≤Z≤0.15，0≤W≤0.15。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述導(dǎo)電基底為柔性導(dǎo)電基底或?qū)щ姴ＡЩ祝?/p>

所述柔性導(dǎo)電基底的原料選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚鄰苯二甲酰胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺中的任一種；

所述導(dǎo)電玻璃基底為摻氟氧化錫基底或者摻銦氧化錫基底。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述電子傳輸層選自TiO₂電子傳輸層、SnO₂電子傳輸層、ZnO電子傳輸層或富勒烯PCBM電子傳輸層，電子傳輸層的厚度為20～80nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜青蒿素類化合物的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其中，所述金屬電極選自Au電極、Ag電極、Al電極或Cu電極中的任一種，所述金屬電極的厚度為50～100nm。