[發明專利]一種制備(222)強織構ITO薄膜的方法有效
| 申請號： | 202010523344.6 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111575666B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發明（設計）人： | 張偉;姜智藝;鮑建秋;胡芳仁;張雪花 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳國強 |
| 地址： | 210000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 222 強織構 ito 薄膜 方法 | ||
1.一種制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）清洗硅基片并安裝于磁控濺射設備的腔室中；
（2）將靶材放置于磁控濺射設備的腔室內，調整靶材和硅基片之間的距離；
（3）對腔室進行抽真空處理；
（4）對硅基片進行加熱處理；
（5）向腔室通入氬氣和氧氣；
（6）開啟磁控濺射設備，對硅基片進行濺射，濺射功率為80W，濺射時間為10-20min；
（7）濺射完成后，得到(222)晶面高度擇優取向的ITO薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，硅基片清洗的具體步驟為：依次用丙酮、無水乙醇、去離子水各超聲波清洗15min，清洗處理完成后用高純氮氣吹干。
3.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，調整靶材和硅基片之間的距離為60mm。
4.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（3）中，對腔室進行抽真空處理至真空度低于2×10-4Pa。
5.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（4）中，加熱溫度為500℃。
6.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（5）中，氬氣和氧氣的流量比為38：2~30：10。
7.根據權利要求1所述的制備(222)強織構ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（5）中，通入氬氣和氧氣后，調節腔室真空度為0.2Pa-0.9Pa。
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