[發(fā)明專利]復用電路、方法、復用模組和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010523269.3 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111554237B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 袁志東;李永謙;袁粲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方卓印科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3225 | 分類號: | G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;陳麗寧 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用電 方法 模組 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種復用電路、方法、復用模組和顯示裝置。復用電路包括N個復用單元電路、N個儲能單元電路和N個控制單元電路;N為大于1的整數(shù);第n復用單元電路在第n控制端的電位的控制下,導通或斷開第n輸出數(shù)據(jù)線與輸入數(shù)據(jù)線之間的連接;第n儲能單元電路根據(jù)第n時鐘信號,控制第n控制端的電位;第n控制單元電路根據(jù)控制電壓信號和第n開關控制信號,導通或斷開第n控制端與第n開關控制線之間的連接;n為小于或等于N的正整數(shù)。本發(fā)明能夠提高復用電路的輸出能力。
技術領域
本發(fā)明涉及復用技術領域,尤其涉及一種復用電路、方法、復用模組和顯示裝置。
背景技術
在顯示領域,目前較成熟的技術有液晶顯示技術及主動矩陣式OLED(有機發(fā)光二極管)顯示技術。在整套顯示系統(tǒng)中,OLED顯示產(chǎn)品一般技術為通過借助電子與空穴直接的復合,激發(fā)出各種波長的光譜,從而形成圖形。通過OLED顯示技術形成的顯示裝置具有快速的響應速度,同時可以達到對比度最大化,因此OLED顯示裝置有望成為下一代顯示主流產(chǎn)品。
一般地,OLED顯示裝置包括:顯示面板、柵極驅(qū)動裝置、數(shù)據(jù)驅(qū)動器和時序控制器。其中顯示面板包括:數(shù)據(jù)線、柵線以及通過它們控制的像素,通常工作方式為當柵極驅(qū)動信號被提供至柵線時某一行像素則被提供給數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓,像素根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小發(fā)出不同亮度的光。柵極驅(qū)動裝置用于向柵極線提供柵極信號,柵極驅(qū)動裝置包括單獨的柵極驅(qū)動集成電路或者面板柵極驅(qū)動電路。
在高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)顯示時,由于像素個數(shù)變多,信號線數(shù)量隨著增多,由于模組綁定工藝能力的上限存在,故COF(Chip On Film,覆晶薄膜)上的BondingPAD Pitch(綁定焊盤間距)不可能無限制縮小用以滿足高PPI顯示。由于復用電路可以有效減少COF上信號數(shù)量,因此在高PPI顯示時,采用復用電路也變得頻繁。但是,隨著像素數(shù)量的增加,顯示面板內(nèi)信號線之間的cross(交叉)也變得密集,信號線的RC Loading(RC負載)也隨之增大,復用電路本身又具有限流缺點存在,現(xiàn)有的復用電路的輸出能力低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種復用電路、方法、復用模組和顯示裝置,解決現(xiàn)有技術中復用電路的輸出能力低的問題。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種復用電路,包括N個復用單元電路、N個儲能單元電路和N個控制單元電路;N為大于1的整數(shù);
第n復用單元電路的控制端與第n控制端電連接,所述第n復用單元電路的第一端與第n輸出數(shù)據(jù)線電連接,所述第n復用單元電路的第二端與輸入數(shù)據(jù)線電連接,所述第n復用單元電路用于在所述第n控制端的電位的控制下,導通或斷開所述第n輸出數(shù)據(jù)線與所述輸入數(shù)據(jù)線之間的連接;
第n儲能單元電路的第一端與第n時鐘信號端電連接,所述第n儲能單元電路的第二端與所述第n控制端電連接,所述第n儲能單元電路用于根據(jù)第n時鐘信號,控制第n控制端的電位;所述第n時鐘信號端用于提供所述第n時鐘信號;
第n控制單元電路分別與控制電壓端、所述第n控制端和第n開關控制線電連接,用于根據(jù)控制電壓信號和第n開關控制信號,導通或斷開所述第n控制端與所述第n開關控制線之間的連接;所述控制電壓端用于提供所述控制電壓信號;所述第n開關控制線用于提供所述第n開關控制信號;
n為小于或等于N的正整數(shù)。
可選的,所述第n儲能單元電路包括第n存儲電容;
第n存儲電容的第一端與第n時鐘信號端電連接,所述第n存儲電容的第二端與所述第n控制端電連接。
可選的,所述第n控制單元電路包括第n控制晶體管;
所述第n控制晶體管的控制極與所述控制電壓端電連接,所述第n控制晶體管的第一極與所述第n開關控制線電連接,所述第n控制晶體管的第二極與所述第n控制端電連接。
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