[發明專利]一種逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法及系統

有效

• 申請號: 202010523138.5
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111564969B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 戴瑜興;彭子舜;朱方;曾國強;張正江;閆正兵;王環;章純;胡文;黃世沛
• 申請（專利權）人: 溫州大學
• 主分類號: H02M1/44
• 分類號: H02M1/44;H02M1/12;H02M7/5387
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 杜陽陽

1.一種逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法，其特征在于，所述方法包括：

獲得負載電流I；

將所述負載電流I與設定電流值I₀進行比較；

當|I|≤I₀時，關斷硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件中的碳化硅基MOSFET，采用恒定開關頻率的雙極性正弦脈寬調制控制所述硅基IGBT的導通和關斷；所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件為硅基IGBT和碳化硅基MOSFET并聯的器件；

當|I|＞I₀時，控制所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件中碳化硅基MOSFET比硅基IGBT先開通后關斷，采用變開關頻率的單極性正弦脈寬調制控制所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件的導通和關斷。

2.根據權利要求1所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法，其特征在于，所述恒定開關頻率為常數。

3.根據權利要求1所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法，其特征在于，所述變開關頻率的計算公式為：

其中，

f_Ⅱ表示所述變開關頻率，m表示調制比，ω_c表示調制信號角頻率，t表示時間，U_dc和L分別為直流側電壓和濾波電感。

4.根據權利要求1所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法，其特征在于，所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件封裝為分立式結構或模塊式結構。

5.根據權利要求1所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制方法，其特征在于，所述硅基IGBT和所述碳化硅基MOSFET的額定電壓相同。

6.一種逆變器共模電磁干擾噪音抑制系統，其特征在于，所述系統包括：

負載電流獲取模塊，用于獲得負載電流I；

負載電流比較模塊，用于將所述負載電流I與設定電流值I₀進行比較；

第一執行模塊，用于當|I|≤I₀時，關斷硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件中的碳化硅基MOSFET，采用恒定開關頻率的雙極性正弦脈寬調制控制所述硅基IGBT的導通和關斷；所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件為硅基IGBT和碳化硅基MOSFET并聯的器件；

第二執行模塊，用于當|I|＞I₀時，控制所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件中碳化硅基MOSFET比硅基IGBT先開通后關斷，采用變開關頻率的單極性正弦脈寬調制控制所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件的導通和關斷。

7.根據權利要求6所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制系統，其特征在于，所述恒定開關頻率為常數。

8.根據權利要求6所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制系統，其特征在于，所述變開關頻率的計算公式為：

其中，

f_Ⅱ表示所述變開關頻率，m表示調制比，ω_c表示調制信號角頻率，t表示時間，U_dc和L分別為直流側電壓和濾波電感。

9.根據權利要求6所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制系統，其特征在于，所述硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并聯器件封裝為分立式結構或模塊式結構。

10.根據權利要求6所述的逆變器共模電磁干擾噪音抑制系統，其特征在于，所述硅基IGBT和所述碳化硅基MOSFET的額定電壓相同。