[發明專利]一種基于復合式光柵的微位移傳感器有效
| 申請號: | 202010523030.6 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111536883B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 辛晨光;李孟委;亓杰;張瑞;金麗 | 申請(專利權)人: | 中北大學 |
| 主分類號: | G01B11/02 | 分類號: | G01B11/02 |
| 代理公司: | 太原榮信德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 楊凱;連慧敏 |
| 地址: | 030051 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 復合 光柵 位移 傳感器 | ||
1.一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:包括激光器(1)、分束光柵(2)、第一反射鏡(31)、第二反射鏡(32)、第三反射鏡(33)、分束鏡(4)、干涉儀探測器(5)、上層光柵(6)、位移反射鏡(7)、第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)、第一探測器(91)、第二探測器(92),所述激光器(1)的下方設置有分束光柵(2),所述分束光柵(2)的正一級衍射光路和負一級衍射光路上分別設置有第一反射鏡(31)、第二反射鏡(32),所述第二反射鏡(32)的反射光路上設置有第三反射鏡(33),所述第三反射鏡(33)的反射光路上設置有分束鏡(4),所述分束鏡(4)的透射光路上設置有位移反射鏡(7),所述干涉儀探測器(5)設置在分束鏡(4)的一側,所述第一反射鏡(31)的反射光路上設置有上層光柵(6),所述上層光柵(6)的下方設置有第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82),所述第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)并列設置,所述第一下層光柵(81)的下方設置有第一探測器(91),所述第二下層光柵(82)的下方設置有第二探測器(92);所述激光器(1)發出的光經分束光柵(2)衍射出正一級衍射光和負一級衍射光,所述正一級衍射光經第一反射鏡(31)反射后垂直入射上層光柵(6),經上層光柵(6)衍射后產生Talbot像,所述Talbot像區域內放置第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82),所述第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)透過的光束由第一探測器(91)、第二探測器(92)接收;所述負一級衍射光經第二反射鏡(32)反射后垂直入射分束鏡(4),經分束鏡(4)分出反射光和透射光,所述反射光入射到第三反射鏡(33),所述透射光入射到位移反射鏡(7)上,所述第三反射鏡(33)、位移反射鏡(7)的反射光再經分束鏡(4)透射和反射后光路重合,產生的干涉光束由干涉儀探測器(5)接收。
2.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述上層光柵(6)與位移反射鏡(7)并列設置在底座(10)上。
3.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)的基底厚度相差四分之一個Talbot像的長度。
4.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述分束光柵(2)、上層光柵(6)、第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)的材料均采用Si,所述分束光柵(2)、上層光柵(6)、第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)的光柵占空比為0.5,所述分束光柵(2)、上層光柵(6)、第一下層光柵(81)、第二下層光柵(82)的光柵周期均為800nm。
5.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述分束光柵(2)的光柵厚度為200nm,所述上層光柵(6)的光柵厚度為766nm。
6.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述激光器(1)的波長為0.635μm,所述激光器(1)的功率為1.2mW。
7.根據權利要求1所述的一種基于復合式光柵的微位移傳感器,其特征在于:所述干涉儀探測器(5)的測量分辨率為317.5nm。
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