[發(fā)明專利]一種In2 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010522275.7 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111883655A | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 招瑜;余代者;魏愛香;劉俊;肖志明;余大清 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329 | 代理人： | 李慶偉 |
| 地址： | 510062 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 in base sub | ||
1.一種In2S3薄膜的憶阻器件，其特征在于，所述憶阻器件是由二維In2S3納米片在二維平面的水平和垂直方向堆疊而成，形成在水平方向的晶界；所述二維In2S3納米片的厚度為0.6～100nm，長度為1～200μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：
S1.將In2S3粉末放在石英舟里，放置在水平石英管式爐的中心恒溫區(qū)；將云母片放置在水平管式爐的下游區(qū)域，密封石英管，打開氬氣并通氣，排盡石英管內(nèi)的空氣；
S2.調(diào)整氬氣流量，升溫至900～1200℃并保溫，進(jìn)行二維In2S3薄膜的生長；
S3.將In2S3薄膜轉(zhuǎn)移到Si/SiO2襯底上，以In2S3薄膜為溝道，使用光刻和蒸鍍工藝在In2S3薄膜兩端制作金屬電極，制得In2S3薄膜的憶阻器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述云母片的面積為1～1000mm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述氬氣的流量為10～1000sccm，所述通氣的時間為30～120min。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述氬氣的流量為10～100sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述升溫的速率為1～100℃/min，所述保溫的時間為0.1～60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述金屬電極為金電極、銀電極或鋁電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，所述金屬電極的厚度為5～1000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的In2S3薄膜的憶阻器件的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述溝道的長度為0.1～50μm。
10.權(quán)利要求1所述的In2S3薄膜的憶阻器件在模仿生物突觸領(lǐng)域的應(yīng)用。
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