[發明專利]圖像傳感器封裝件的電互連

在審

• 申請號: 202010521760.2
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN112151559A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 徐守謙
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩

1.一種半導體封裝件，包括：

半導體管芯，所述半導體管芯包括第一側和第二側；

有源區域，所述有源區域包括在所述管芯的所述第二側上；

兩個或更多個凸塊，所述兩個或更多個凸塊耦接至所述管芯的第二側上的兩個或更多個管芯焊盤；

光學透射封蓋，所述光學透射封蓋通過粘合劑、所述兩個或更多個凸塊以及第一重新分布層RDL耦接至所述半導體管芯；以及

第二重新分布層RDL，所述第二重新分布層RDL與所述半導體管芯的所述第二側上的第一RDL耦接并延伸至所述半導體管芯的所述第一側；

其中所述第一RDL延伸至所述半導體管芯的邊緣。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述半導體管芯的一個或多個側壁與由所述半導體管芯的所述第一側形成的平面成介于85度和60度之間的角度。

3.一種半導體封裝件，包括：

半導體管芯，所述半導體管芯包括第一側和第二側；

有源區域，所述有源區域包括在所述管芯的所述第二側上；

兩個或更多個凸塊，所述兩個或更多個凸塊在所述有源區域的任一側上耦接至所述管芯的第二側；

第一重新分布層RDL，所述第一重新分布層RDL耦接至所述兩個或更多個凸塊中的每一個凸塊并延伸至所述半導體管芯的邊緣；

光學透射封蓋，所述光學透射封蓋通過所述兩個或更多個凸塊和第一RDL耦接至所述半導體管芯；

第二重新分布層RDL，所述第二重新分布層RDL與所述半導體管芯的所述第二側上的所述第一RDL耦接，所述第二RDL延伸至所述半導體管芯的所述第一側。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中所述半導體管芯的一個或多個側壁與由所述半導體管芯的所述第一側形成的平面成介于85度和60度之間的角度。

5.一種形成半導體封裝件的方法，所述方法包括：

提供包括第一側和第二側的光學透射襯底；

在所述光學透射襯底的第一側上形成第一重新分布層RDL，該第一RDL包括在一條或多條劃線上方，所述一條或多條劃線包括在所述光學透射襯底的所述第一側上；

提供半導體晶圓，所述半導體晶圓包括第一側和第二側，其中多個有源區域包括在所述半導體晶圓的第二側上，并且兩個或更多個管芯焊盤包括在所述多個有源區域中的每一個有源區域周圍；

在兩個或更多個管芯焊盤中的每一個管芯焊盤上形成兩個或更多個內凸塊以將所述半導體晶圓的第二側耦接至所述光學透射襯底的第一側，其中所述兩個或更多個內凸塊耦接在所述一條或多條劃線的任一側；

將所述半導體晶圓減薄至預定厚度；

將所述半導體晶圓蝕刻至所述一條或多條劃線以形成多個半導體管芯；

切穿所述半導體管芯和金屬層中的每一者以在覆蓋玻璃上暴露第一RDL的一個或多個內部端子；

在所述多個半導體管芯中的每一個半導體管芯周圍形成隔離層；

形成第二重新分布層RDL，該第二RDL從所述第一RDL的內部端子延伸至所述多個半導體管芯中的每一個半導體管芯的第一側；

在所述半導體管芯中的每一個半導體管芯的第一側上方形成鈍化層；以及

切穿所述鈍化層和所述光學透射襯底以形成多個半導體封裝件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中蝕刻包括使所述半導體晶圓的一個或多個側壁成角度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述半導體管芯的所述一個或多個側壁與由所述半導體管芯的第一側形成的平面成介于85度和60度之間的角度。

8.根據權利要求5所述的方法，還包括在第一重新分布層上形成一個或多個阻擋部。

9.根據權利要求5所述的方法，其中劃線的寬度小于150微米。