[發明專利]陽離子氟聚合物復合拋光墊

有效

• 申請號: 202010521668.6
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN112059898B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: M·R·加丁科
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號: B24B37/24
• 分類號: B24B37/24
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐鑫;陳哲鋒

1.一種聚合物-聚合物復合拋光墊，能夠用于拋光或平坦化半導體、光學和磁性基底中至少一個的基底，所述聚合物-聚合物復合拋光墊包括以下項：

拋光層，所述拋光層具有用于對所述基底進行拋光或平坦化的拋光表面；

形成所述拋光層的聚合物基質，所述聚合物基質為第一聚合物，所述第一聚合物在蒸餾水中浸泡5分鐘后用pH為7的蒸餾水在10 μm rms的表面粗糙度下測量是親水性的，并且所述第一聚合物不是氟聚合物；

嵌入所述聚合物基質中的陽離子氟聚合物顆粒，所述陽離子氟聚合物顆粒具有含氮端基，所述含氮端基集中在所述陽離子氟聚合物顆粒的表面處，所述陽離子氟聚合物顆粒具有在pH為7的蒸餾水中測量的陽離子ζ電位，并且其中當使用含陰離子膠態二氧化硅的漿料進行拋光時，所述陽離子氟聚合物顆粒可以提高在圖案化的晶片上基底的拋光去除速率。

2.如權利要求1所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中嵌入所述聚合物基質覆蓋物中的所述陽離子氟聚合物占所述聚合物-聚合物復合拋光墊的2至30體積百分比。

3.如權利要求1所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中所述陽離子氟聚合物顆粒在所述拋光表面處吸引pH值為7的帶負電荷的磨料顆粒。

4.如權利要求1所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中所述陽離子氟聚合物顆粒覆蓋拋光表面的一部分。

5.如權利要求1所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中通過在所述拋光層下方并與所述拋光層平行地切割所述拋光墊，所述陽離子氟聚合物顆粒的一端仍然錨固在所述聚合物基質中，而另一端在拋光過程中則能夠塑性變形至少100%的伸長率以在拋光基質上涂抹含氟聚合物。

6.一種聚合物-聚合物復合拋光墊，能夠用于拋光或平坦化半導體、光學和磁性基底中至少一個的基底，所述聚合物-聚合物復合拋光墊包括以下項：

拋光層，所述拋光層具有用于對所述基底進行拋光或平坦化的拋光表面；

形成所述拋光層的聚合物基質，所述聚合物基質為第一聚合物，所述第一聚合物在蒸餾水中浸泡5分鐘后用pH為7的蒸餾水在10 μm rms的表面粗糙度下測量是親水性的，并且所述第一聚合物不是氟聚合物；

嵌入所述聚合物基質中的陽離子聚氟乙烯顆粒，所述陽離子聚氟乙烯顆粒具有含氮端基，所述含氮端基集中在所述陽離子聚氟乙烯顆粒的表面處，所述陽離子聚氟乙烯顆粒具有在pH為7的蒸餾水中測量的陽離子ζ電位，并且其中當使用含陰離子膠態二氧化硅的漿料進行拋光時，所述陽離子聚氟乙烯顆粒可以提高速率。

7.如權利要求6所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中嵌入所述聚合物基質覆蓋物中的所述陽離子聚氟乙烯占所述聚合物-聚合物復合拋光墊的2至30體積百分比。

8.如權利要求6所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中所述陽離子聚氟乙烯顆粒在所述拋光表面處吸引pH值為7的帶負電荷的磨料顆粒。

9.如權利要求6所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中陽離子聚氟乙烯顆粒覆蓋拋光表面的一部分。

10.如權利要求6所述的聚合物-聚合物復合拋光墊，其中通過在所述拋光層下方并與所述拋光層平行地切割所述拋光墊，所述陽離子聚氟乙烯顆粒的一端仍然錨固在所述聚合物基質中，而另一端在拋光過程中則能夠塑性變形至少100%的伸長率以在拋光基質上涂抹含氟聚合物。