[發明專利]高K介質層制造方法在審
| 申請號： | 202010521369.2 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111710602A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 郁賽華;董雅娟 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高K介質層制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，在外延硅(EPI Si)上通過第一刻蝕形成深溝槽；
S2，通過第一預設溫度氧化形成預設厚度的第一氧化層；
S3，通過第二刻蝕去除表面的第一氧化層；
S4，通過第二預設溫度氧化形成第二氧化層；
S5，在第二氧化層表面沉積高K介質層；
其中，第二預設溫度高于第一預設溫度。
2.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：第一刻蝕采用干法刻蝕。
3.如權利要求2所述的高K介質層制造方法，其特征在于：所述深溝槽的深度范圍是2um～7um。
4.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：所述第一預設溫度范圍是小于50攝氏度。
5.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：所述預設厚度小于15埃。
6.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：第二刻蝕采用濕法刻蝕。
7.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：所述第二預設溫度范圍是300攝氏度至400攝氏度。
8.如權利要求1所述的高K介質層制造方法，其特征在于：第二氧化層是氧化鋁層或氧化鉭層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
