[發明專利]一種納米多孔石墨烯的制備方法

在審

• 申請號: 202010521141.3
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111533113A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 徐洪秀
• 申請（專利權）人: 青島粲耀新材料科技有限責任公司
• 主分類號: C01B32/186
• 分類號: C01B32/186;B22F9/22;C23C16/26;C23F1/14;C23F1/28
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，包括如下步驟：

一、納米多孔泡沫鎳的制備

A、對泡沫鎳基底進行酸洗處理，去除表面氧化膜，然后用去離子水沖洗至中性并干燥備用；

B、將步驟A得到的泡沫鎳基底放入含有尿素溶液的反應釜中進行水熱反應，水熱反應的溫度為120-140°C，時間為1-3小時，然后取出泡沫鎳基底，洗滌、干燥，得到表面為納米多孔結構的泡沫鎳基底；

C、表面還原，將步驟B中得到的泡沫鎳基底置于還原性氣氛中進行表面還原，將水熱反應后再泡沫鎳表面生成的氧化鎳、氫氧化鎳、堿式碳酸鎳等鎳氧化物還原成鎳單質，得到納米多孔泡沫鎳基底，用作生長納米多孔石墨烯的基底；

二、納米多孔石墨烯的生長

D、采用化學氣相沉積法在步驟C中制得的納米多孔泡沫鎳基底表面沉積石墨烯，得到納米多孔石墨烯；沉積時間為5-15min；

三、納米多孔泡沫鎳基底的去除

E，將步驟D中生長有納米多孔石墨烯的納米多孔泡沫鎳基底置于蝕刻液中，將納米多孔泡沫鎳基底蝕刻去除，得到單獨的納米多孔石墨烯。

2.如權利要求1所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：其中，還原性氣氛包括氫氣。

3.如權利要求1所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：步驟D中生長的納米多孔石墨烯為還原石墨烯或氮摻雜石墨烯。

4.如權利要求3所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：步驟D中的化學氣相沉積法中，預先將納米多孔泡沫鎳基底加熱至生長溫度，然后使用碳源或含氮碳源，在還原氣氛中將其加熱至100-400°C，以在基底表面沉積形成氮摻雜石墨烯。

5.如權利要求4所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：生長溫度為700-900°C。

6.如權利要求1所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：步驟E的蝕刻液為鹽酸或氯化鐵溶液。

7.如權利要求1所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于：在步驟D和E之間執行一步驟F，步驟F為在納米多孔石墨烯表面沉積PMMA薄層。

8.一種如權利要求1-7任一項所述的一種納米多孔石墨烯材料的制備方法制備得到的納米多孔石墨烯材料。