[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010520074.3 | 申請日: | 2020-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN111554730B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 劉會雙;費國東;王曉鵬 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置。該顯示面板包括層疊設置的驅動單元和發光單元,包括:副顯示區,副顯示區包括第一顯示區和第二顯示區,第一顯示區和第二顯示區之間設有功能區域,第一顯示區和/或第二顯示區內的每行發光單元通過一條第一走線接收第一信號;其中,對于任一第一走線,第一走線包括若干條第一子走線,任意相鄰的兩條第一子走線之間具有間隙、并通過第一輔助連接線連接,第一子走線與第一輔助連接線位于不同層、且第一子走線與第一輔助連接線通過過孔連接,若干條第一子走線的長度相同。該顯示面板能夠保證薄膜晶體管器件特性均一變化,改善顯示面板打孔區域周邊顯示不均的問題。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,用戶對電子設備顯示屏的屏占比的要求越來越高,使得電子設備的全面屏顯示受到業界越來越多的關注。
現有的電子設備(如手機、平板電腦等)通常需要在顯示屏上開孔來放置前攝像頭、聽筒等感光元件,導致打孔區域周邊的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)的柵源漏線路長短不均一,這些線路在制程工藝過程中受到的電荷積累作用存在差異,影響TFT器件特性,最終表現在產品上為出現打孔區域周邊顯示不均的問題,即顯示異常或Mura(指顯示器亮度不均勻,造成各種痕跡的現象)。
發明內容
本發明提供一種顯示面板及顯示裝置,能夠保證薄膜晶體管器件特性均一變化,改善顯示面板打孔區域周邊顯示不均的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板,包括層疊設置的驅動單元和發光單元,包括:
副顯示區,副顯示區包括第一顯示區和第二顯示區,第一顯示區和第二顯示區之間設有功能區域,第一顯示區和/或第二顯示區內的每行發光單元通過一條第一走線接收第一信號;其中,
對于任一第一走線,第一走線包括若干條第一子走線,任意相鄰的兩條第一子走線之間具有間隙、并通過第一輔助連接線連接,第一子走線與第一輔助連接線位于不同層、且第一子走線與第一輔助連接線通過過孔連接,若干條第一子走線的長度相同。
如上的顯示面板,可選地,第一顯示區和/或第二顯示區內的每列發光單元通過一條第二走線接收第二信號;其中,
對于任一第二走線,第二走線包括若干條第二子走線,任意相鄰的兩條第二子走線之間具有間隙、并通過第二輔助連接線連接,第二子走線與第二輔助連接線位于不同層、且第二子走線與第二輔助連接線通過過孔連接,若干條第二子走線的長度相同。
如上的顯示面板,可選地,顯示面板還包括與副顯示區相鄰的主顯示區;主顯示區內的每行發光單元通過一條第一走線接收第一信號;主顯示區內的每列發光單元通過一條第二走線接收第二信號;
功能區域為非顯示區,副顯示區內的任意一行發光單元的數量小于主顯示區內的任意一行發光單元的數量,副顯示區內的任意一列發光單元的數量小于主顯示區內的任意一列發光單元的數量;或者,
功能區域為顯示區,功能區域包括發光單元,用于驅動發光單元的驅動單元位于第一顯示區和/或第二顯示區。
如上的顯示面板,可選地,驅動單元包括薄膜晶體管,薄膜晶體管包括柵極和源漏極,第一走線為柵極走線,第一信號為柵極信號;第二走線為源漏極走線,第二信號為源漏極信號;或者,
第一走線為源漏極走線,第一信號為源漏極信號;第二走線為柵極走線,第二信號為柵極信號。
如上的顯示面板,可選地,發光單元包括與薄膜晶體管的漏極連接的陽極層,薄膜晶體管包括第一金屬層和第二金屬層,薄膜晶體管的柵極位于第一金屬層,薄膜晶體管的源極和/或漏極位于第二金屬層。
如上的顯示面板,可選地,第一輔助連接線和第二輔助連接線與陽極層同層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





