[發明專利]一種新型晶硅雙面電池背膜結構及制備方法

在審

• 申請號: 202010520028.3
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111628011A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 楊飛飛;李雪方;張波;張云鵬;郭麗;呂愛武;杜澤霖;李陳陽
• 申請（專利權）人: 山西潞安太陽能科技有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.一種新型晶硅雙面電池背膜結構，其特征在于：自下而上為SixNy/SiOxNy/SiOx，SiOx膜之上為P型硅基體，其中，SiOx膜層的折射率為1.5-1.7，膜厚為5-10nm，SiOxNy膜層的折射率為1.7-2.0，厚度為10-20nm，SixNy膜層的折射率為2.1-2.3，厚度為55-75nm。

2.一種制備權利要求1所述新型晶硅雙面電池背膜結構的方法，其特征在于：在同一臺設備進行制備，按照如下的步驟進行

步驟一、氧化硅SiOx及氫鈍化膜層的實現，采用等離子體增強化學氣相沉積技術PECVD方式，氧源為笑氣（N2O），同時通氨氣（NH3），在制備SiOx的同時，對電池片進行氫鈍化，制備所得SiOx的折射率為1.5-1.7，膜厚為5-10nm；

步驟二、氮氧化硅SiOxNy膜層的實現，采用PECVD的方式，氧源為N2O，同時通硅烷SiH4和NH3，制備所得SiOxNy膜層的折射率為1.7-2.0，厚度為10-20nm；

步驟三、氫鈍化夾層，采用PECVD的方式，通N2和NH3，維持5min；

步驟四、氮化硅（SixNy）膜層的實現，采用PECVD的方式，通SiH4和NH3，制備所得SixNy的折射率為2.1-2.3，厚度為55-75nm。