[發明專利]微同軸結構的微延時線芯片的制作方法

有效

• 申請號: 202010519992.4
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111883898B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 董春暉;楊鵬;楊志;錢麗勛;李宏軍;馬靈;申曉芳;薛源;付興中;王勝福;李豐;周名齊;周少波;趙立娟;張學凱
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 祁靜

1.一種微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在第一基片、第二基片和第三基片的第一預設位置分別制備位置對應的多個第一通孔，并在所述第二基片和所述第三基片的第二預設位置分別制備位置對應的多個第二通孔，所述第一預設位置與所述第二預設位置不同；

在所述第一基片和所述第三基片上分別制備位置對應的第一凹槽和第二凹槽，所述多個第一通孔設置在對應的所述第一凹槽或者所述第二凹槽的周圍；

在所述第二凹槽的兩端槽內各制備一個轉接支撐結構，每個轉接支撐結構內設置第三通孔，在所述第二凹槽內的所述第三通孔對應位置制備第四通孔，在所述第三基片的下表面所述轉接支撐結構對應區域制備焊盤，所述第三基片的下表面為所述第二凹槽對應的一面；

在第二基片上制備同軸芯體；

將所述第一基片、所述第二基片以及所述第三基片依次鍵合，并使各個基片上的第一通孔位置對應，所述第一凹槽與所述第二凹槽的位置和槽口分別對應，所述同軸芯體位于所述第一凹槽與所述第二凹槽構成的空腔內。

2.如權利要求1所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，所述在第二基片上制備同軸芯體，包括：

采用DRIE或濕法腐蝕的方法在所述第二基片上刻蝕多個第五通孔，使所述第二基片形成包括內空的第一硅片、多個硅梁和同軸芯體的結構，其中，所述第一硅片為O型硅片，所述同軸芯體位于所述第一硅片內，且所述同軸芯體的兩端分別與所述第一硅片的O彎處連接，間隔排列的所述多個硅梁分別位于所述同軸芯體的兩側，作為所述同軸芯體的支撐梁。

3.如權利要求2所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，在所述在第二基片上制備同軸芯體結構之后，還包括：

在所述第一硅片的上下表面、所述第一硅片的內側、除距離所述同軸芯體兩端連接處預設長度之外的部分的外表面、所述多個第五通孔內部、所述第二基片上的多個第一通孔內部和多個第二通孔內部電鍍第一金屬層。

4.如權利要求2所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，所述多個第一通孔、所述多個第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔以及所述多個第五通孔的形狀為圓形、長方形或者正方形，孔壁垂直于地平面或者孔壁與地平面之間存在傾角。

5.如權利要求1所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽的寬度和深度根據所述同軸芯體的傳輸信號的頻率確定；

所述第一凹槽與所述第二凹槽的刻蝕深度根據刻蝕工藝時間調整，槽壁垂直于地平面或者槽壁與地平面之間存在夾角。

6.如權利要求1或5所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽包括設置所述轉接支撐結構的轉接凹槽和除所述轉接支撐結構對應凹槽之外的第三凹槽；所述轉接凹槽在垂直信號傳輸方向的邊長大于所述第三凹槽的在垂直信號傳輸方向的邊長。

7.如權利要求3所述的微同軸結構的微延時線芯片的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述第一基片的下表面、所述第一凹槽的槽壁上以及所述第一基片上的多個第一通孔內部電鍍第二金屬層，所述第一基片的下表面為所述第一凹槽所在的一面；

以及在所述第三基片的上表面、所述第三基片下表面的預設位置、所述轉接支撐結構的上表面的預設位置、所述第三基片上的多個第一通孔內部、多個第二通孔內部、所述第三通孔內部以及所述第四通孔內部電鍍第三金屬層，所述第三基片下表面的預設位置為除轉接支撐結構對應區域之外的區域，所述轉接支撐結構的上表面的預設位置為所述第三通孔周圍的位置，所述第三基片的上表面為所述第二凹槽所在的一面。