[發明專利]一種新的堿拋下實現LDSE的制備工藝

在審

• 申請號: 202010518932.0
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111584688A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 楊飛飛;郭麗;張云鵬;李雪方;呂濤;杜澤霖;李陳陽;張波;趙科巍;魯貴林
• 申請（專利權）人: 山西潞安太陽能科技有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.一種新的堿拋下實現LDSE的制備工藝，其特征在于：順序按照雙面堿拋光、背面鈍化及減反膜層、清洗制絨、擴散制結、激光摻雜、去PSG、正面氧化、正面氮化硅膜制備、背面激光開膜、絲網印刷及高溫燒結工藝進行，背面鈍化及減反膜層工藝步驟中，采用PECVD的方式，氮化硅膜層總厚度150-200nm，氮化硅膜層保護下，背面不參與后續的清洗制絨、擴散制結、激光摻雜工藝，避免背面刻蝕對激光消融區域的刻蝕。

2.根據權利要求1所述的一種新的堿拋下實現LDSE的制備工藝，其特征在于：雙面堿拋光中，使用堿刻蝕，刻蝕量控制在0.14-0.17g，反射率35%-45%。

3.根據權利要求1所述的一種新的堿拋下實現LDSE的制備工藝，其特征在于：清洗制絨，制絨使用槽式堿制絨，首先利用HF槽進行預清洗，去除正面繞度；硅片單面進行制絨，刻蝕量控制在0.17-0.25g，反射率7%-12%。