[發明專利]一種空穴傳輸材料及其在鈣鈦礦太陽能電池中的應用有效
| 申請號: | 202010518913.8 | 申請日: | 2020-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN111848422B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 郭鹍鵬;田霞;李斌;梁效中;李達;單玲玲;劉素平 | 申請(專利權)人: | 山西美意呈科技有限公司 |
| 主分類號: | C07C217/84 | 分類號: | C07C217/84;C07D209/88;C07D311/96;H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 太原榮信德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 楊凱;連慧敏 |
| 地址: | 030006 山西省太原市綜改示范區太原學府*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 空穴 傳輸 材料 及其 鈣鈦礦 太陽能電池 中的 應用 | ||
1.一種空穴傳輸材料,其特征在于,具有式(V)或(VI)所示結構::
2.化合物(V)的制備方法,其特征在于,反應路線為:
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于:
中間體A的合成:在室溫下,先將化合物C、對甲氧基苯胺、叔丁醇鈉分別溶于干燥的甲苯中,在氮氣氛圍下將反應體系升溫至80℃,加入三叔丁基膦四氟硼酸鹽、三(二亞芐基丙酮)二鈀;整個反應體系在120℃下回流反應10h;待反應完成后,將其冷卻至室溫;隨后將去離子水加入到反應液中,并使用乙酸乙酯對其進行萃取,萃取后得到的有機相用無水硫酸鎂干燥并過濾;除去溶劑后得到粗產物;粗產物使用層析柱分離純化,得到中間體A;
化合物(V)的合成:將中間體A、化合物D、叔丁醇鈉分別溶于甲苯中,在氮氣氛圍下將反應體系升溫至80℃,加入三叔丁基膦四氟硼酸鹽、三(二亞芐基丙酮)二鈀;整個反應體系在120℃下回流反應10h;待反應完成后,將其冷卻至室溫;隨后將去離子水加入到反應液中,并使用乙酸乙酯對其進行萃取,萃取后得到的有機相用無水硫酸鎂干燥并過濾;除去溶劑后得到粗產物;粗產物使用層析柱分離純化,得到化合物(V)。
4.化合物(VI)的制備方法,其特征在于,反應路線為:
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:
中間體B的合成:在室溫下,先將化合物E、對甲氧基苯胺、叔丁醇鈉分別溶于干燥的甲苯中;在氮氣氛圍下將反應體系升溫至80℃,加入三叔丁基膦四氟硼酸鹽、三(二亞芐基丙酮)二鈀;整個反應體系在120℃下回流反應10h;待反應完成后,將其冷卻至室溫;隨后將去離子水加入到反應液中,并使用乙酸乙酯對其進行萃取,萃取后得到的有機相用無水硫酸鎂干燥并過濾;除去溶劑后得到粗產物;粗產物使用層析柱分離純化,得到中間體B;
化合物(VI)的合成:將中間體B、化合物D、叔丁醇鈉分別溶于甲苯中,在N2氛圍下將反應體系升溫至80℃,加入三叔丁基膦四氟硼酸鹽、三(二亞芐基丙酮)二鈀;整個反應體系在120℃下回流反應10h;待反應完成后,將其冷卻至室溫;隨后將去離子水加入到反應液中,并使用乙酸乙酯對其進行萃取,萃取后得到的有機相用無水硫酸鎂干燥并過濾;除去溶劑后得到粗產物;粗產物使用層析柱分離純化,得到化合物(VI)。
6.一種制備鈣鈦礦太陽能電池的方法,其特征在于,制備方法具體包括以下步驟:
S1、制備導電玻璃基底:首先用洗滌劑清洗導電玻璃基底表面附著的灰塵等污染物,然后依次用超純水、丙酮、異丙醇超聲清洗18min以除去有機污染物;洗凈的導電玻璃基底用氮氣吹干,隨后再對其進行15min的紫外線-臭氧處理,保證其表面干凈、清潔;
S2、制備致密二氧化鈦層:將S1中處理好的導電玻璃放入四氯化鈦溶液中,在溫度為70℃的烘箱中放置1h,在導電玻璃基底上沉積得到40nm厚的二氧化鈦層;然后使用超純水沖洗玻璃基底2min,沖洗掉松散的二氧化鈦,再用氮氣對其進行吹干,隨后放置在溫度為185℃的加熱板上退火30min;
S3、制備鈣鈦礦層:對S2中沉積有致密二氧化鈦層的導電玻璃基底再次進行15min的紫外線-臭氧處理;將1H-咪唑-1-基(2-甲基-3-呋喃基)甲酮、甲基碘化胺、碘化鉛混合均勻后加入體積比為4:1的無水N,N-二甲基甲酰胺:無水二甲基亞砜,配制鈣鈦礦的前驅體溶液;制備鈣鈦礦層通過一步旋涂法完成,先將鈣鈦礦前驅體溶液均勻地滴加在致密的二氧化鈦層上面,以1000rpm的速度旋涂5s,再以4000rpm的速度旋涂45s;在以4000rpm的速度旋涂10s時向鈣鈦礦表面快速滴加150mL的氯苯溶液;旋涂完成后將涂覆有鈣鈦礦的導電玻璃基底放在150℃的加熱板上退火30min;
S4、制備空穴傳輸層:取權利要求1中的化合物溶于質量濃度為90mg/mL的氯苯溶液中,再向其依次加入4-叔丁基吡啶和雙三氟甲磺酰亞胺鋰,隨后在S3中導電玻璃基底鈣鈦礦層表面以4000rpm的速度旋涂20s制備空穴傳輸層;
S5、制備金屬電極:金電極通過熱蒸發沉積法在空穴傳輸層表面,厚度100nm。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于:1H-咪唑-1-基(2-甲基-3-呋喃基)甲酮、甲基碘化胺、碘化鉛摩爾比為17:3:20;步驟S4中每毫升氯苯溶液中4-叔丁基吡啶加入量為36μL,雙三氟甲磺酰亞胺鋰加入量為22μL。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山西美意呈科技有限公司,未經山西美意呈科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010518913.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C07C 無環或碳環化合物
C07C217-00 連接在同一個碳架上的含氨基和醚化的羥基的化合物
C07C217-02 .醚化的羥基和氨基連接在同一個碳架的非環碳原子上
C07C217-52 .醚化的羥基或氨基連接在同一個碳架的除六元芳環以外的其他環的碳原子上
C07C217-54 .醚化的羥基連接在至少1個六元芳環的碳原子上和氨基連接在非環碳原子上或連接在除同一個碳架的六元芳環以外的其他環的碳原子上
C07C217-76 .帶有連接在六元芳環碳原子上的氨基和連接在非環碳原子或同一碳架的除六元芳環以外的其他環碳原子上的醚化羥基
C07C217-78 .帶有連接在同一碳架的六元芳環的碳原子上的氨基和醚化羥基





