[發(fā)明專利]氮化鋁單晶基板及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010518150.7
• 申請(qǐng)日: 2011-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN111621852A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 纐纈明伯;熊谷義直;永島徹;平連有紀(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國立大學(xué)法人東京農(nóng)工大學(xué);株式會(huì)社德山
• 主分類號(hào): C30B29/40
• 分類號(hào): C30B29/40;C30B25/02;C30B25/08;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種氮化鋁單晶，其特征在于，

碳的濃度為1×10¹⁴atoms/cm³以上且小于3×10¹⁷atoms/cm³，氯的濃度為1×10¹⁴～1×10¹⁷atoms/cm³，波長(zhǎng)265nm下的吸收系數(shù)為40cm^－1以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁單晶，其中，

所述氮化鋁單晶中所含的碳、氯、硼、硅、氧的濃度的總和為1×10¹⁵～1×10²⁰atoms/cm³。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鋁單晶，其中，

所述氮化鋁單晶的(0002)面的X射線搖擺曲線的半輻值為3000秒以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的氮化鋁單晶，其中，

在光致發(fā)光測(cè)定中，能確認(rèn)有作為氮化鋁的帶邊發(fā)光的209nm的峰。

5.一種氮化鋁單晶的制造方法，其是通過利用氫化物氣相外延法在單晶基板上生長(zhǎng)氮化鋁單晶而制造權(quán)利要求1所述的氮化鋁單晶的方法，其特征在于，

在1200℃以上且1700℃以下的溫度下在所述基板上生長(zhǎng)氮化鋁單晶，并且使用以選自由BN、TaC、W及Mo構(gòu)成的組的至少1種來構(gòu)成氫化物氣相外延裝置內(nèi)的在晶體生長(zhǎng)時(shí)達(dá)到1200℃以上的區(qū)域的露出表面的裝置。