[發明專利]一種晶硅電池常壓氧化工藝在審
| 申請號： | 202010517933.3 | 申請日： | 2020-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN111564529A | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 楊飛飛;楊旭彪;李雪方;張波;呂愛武;杜澤霖;李陳陽;郭麗 | 申請（專利權）人： | 山西潞安太陽能科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電池 常壓 氧化 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶硅電池常壓氧化工藝，其特征在于：保持壓力為常壓，同時在整個流程階段保持氣體流量為5-10slm，在恒溫和沉積階段，保持總氣體流量不變的前提下，提高氧氣濃度，使N2/O2得體積比為0.5:1。
2.根據權利要求1所述的一種晶硅電池常壓氧化工藝，其特征在于：降低沉積溫度與時間，在恒溫和沉積階段，控制溫度反應溫度為630-650℃，在恒溫階段控制時間為50-100s，在沉積階段控制時間為600-800s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
