[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010517880.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112864160A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李南宰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11521
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

提供了半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置包括：源極結(jié)構(gòu)，其形成在基底上；蝕刻防止層，其形成在源極結(jié)構(gòu)上；位線；層疊結(jié)構(gòu)，其位于蝕刻防止層和位線之間，并包括彼此交替層疊的導(dǎo)電層和絕緣層；以及溝道結(jié)構(gòu)，其穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)和蝕刻防止層，其中，溝道結(jié)構(gòu)的下部位于源極結(jié)構(gòu)中，并且溝道結(jié)構(gòu)的下部的側(cè)壁與源極結(jié)構(gòu)直接接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施方式總體上涉及一種電子裝置，并且更具體地，涉及一種半導(dǎo)體裝置及制造該半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器裝置在沒(méi)有供應(yīng)的電力的情況下保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。其中存儲(chǔ)器單元以單層形成在基板上方的二維非易失性存儲(chǔ)器裝置的集成密度的增加近來(lái)已經(jīng)受到限制。因此，已經(jīng)提出了其中存儲(chǔ)器單元在垂直方向上層疊在基板上方的三維非易失性存儲(chǔ)器裝置。

三維非易失性存儲(chǔ)器裝置可以包括彼此交替層疊的層間絕緣層和柵電極，并且溝道層穿過(guò)其中，并且存儲(chǔ)器單元可以沿著溝道層層疊。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種結(jié)構(gòu)和制造方法以提高三維非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置可以包括：源極結(jié)構(gòu)，其形成在基底上；蝕刻防止層，其形成在源極結(jié)構(gòu)上；位線；層疊結(jié)構(gòu)，其位于蝕刻防止層和位線之間并包括彼此交替層疊的導(dǎo)電層和絕緣層；以及溝道結(jié)構(gòu)，其穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)和蝕刻防止層，其中，溝道結(jié)構(gòu)的下部位于源極結(jié)構(gòu)中，并且溝道結(jié)構(gòu)的下部的側(cè)壁與源極結(jié)構(gòu)直接接觸。

根據(jù)實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：在基底上方順序地層疊并形成第一源極層、犧牲層和蝕刻防止層；在蝕刻防止層上形成包括彼此交替層疊的第一材料層和第二材料層的層疊結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)、蝕刻防止層和犧牲層并延伸到第一源極層中的溝道結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)和蝕刻防止層并暴露出犧牲層的狹縫；以及通過(guò)去除通過(guò)狹縫暴露出的犧牲層并用導(dǎo)電材料填充從中去除了犧牲層的空間，來(lái)形成直接聯(lián)接至溝道結(jié)構(gòu)的第二源極層。

根據(jù)實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：順序地層疊并形成犧牲層和蝕刻防止層；在蝕刻防止層上方形成包括彼此交替層疊的第一材料層和第二材料層的層疊結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)、蝕刻防止層和犧牲層的溝道孔；在溝道孔中形成包括溝道層和圍繞溝道層的存儲(chǔ)器層的溝道結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)和蝕刻防止層以暴露出犧牲層的狹縫；去除通過(guò)狹縫暴露出的犧牲層，以暴露出溝道結(jié)構(gòu)的下部中的存儲(chǔ)器層的一部分；去除存儲(chǔ)器層的暴露部分以暴露出溝道層；以及通過(guò)用導(dǎo)電材料填充從中去除了犧牲層的空間，來(lái)形成直接聯(lián)接至溝道層的第二源極層。

附圖說(shuō)明

圖1A和圖1B是例示根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F、圖2G和圖2H是例示根據(jù)實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體裝置的方法的截面圖；

圖3是例示根據(jù)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置的框圖；

圖4是例示根據(jù)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置的框圖；

圖5是例示根據(jù)實(shí)施方式的計(jì)算系統(tǒng)的配置的框圖；以及

圖6是例示根據(jù)實(shí)施方式的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，參照附圖描述各種實(shí)施方式。在附圖中，為了便于說(shuō)明，與實(shí)際的物理厚度和距離相比，可能夸大了組件的厚度和距離。在以下描述中，為了簡(jiǎn)單和簡(jiǎn)潔，可以省略對(duì)已知相關(guān)功能和構(gòu)造的描述。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)和附圖中，相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。