[發明專利]實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶及其制造方法

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• 申請號: 202010517875.4
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111627824A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 任志軍;丁心怡;陳傳蒙;劉玉寶
• 申請（專利權）人: 山東新恒匯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所(普通合伙) 37223
• 代理人: 任建堂

1.實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟a，在一面附著有第一銅箔層（13）的基材（4）上進行沖孔，形成貫穿基材（4）以及第一銅箔層（13）的過孔（6）；

步驟b，在基材（4）的另一面上附著第二銅箔層（14）；

步驟c，在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）上分別形成接觸塊（3）和焊盤（5），并通過絲印填錫工藝在過孔（6）內填充導電介質（1）并將其固化，在導電介質（1）的固化過程中對導電介質（1）施加壓力使導電介質（1）充滿過孔（6）并與第一銅箔層（13）的內壁完全貼合，導電介質（1）固化后將第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）導通。

2.根據權利要求1所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：在所述的步驟c中，首先通過絲印填錫工藝在過孔（6）內填充導電介質（1）并將其固化，然后分別在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）上形成接觸塊（3）和焊盤（5）。

3.根據權利要求1所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：在所述的步驟c中，首先分別在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）上形成接觸塊（3）和焊盤（5），然后通過絲印填錫工藝在過孔（6）內填充導電介質（1）并將其固化。

4.根據權利要求2或3所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）上形成接觸塊（3）和焊盤（5）時，包括如下步驟：

步驟c-1，除去第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）表面的雜質，并對第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）表面進行粗化處理；

步驟c-2，通過熱壓的方式將干膜層（9）貼附在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）的表面；

步驟c-3，利用紫外光照射的方式對干膜層（9）進行曝光，干膜層（9）被曝光的部位在第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）的表面分別形成曝光層（10）；

步驟c-4，將未曝光的干膜層（9）去除，露出第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）；

步驟c-5，對第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）表面未覆蓋有曝光層（10）的位置進行刻蝕，刻蝕到基材（4）的表面；

步驟c-6，將第一銅箔層（13）和第二銅箔層（14）表面的曝光層（10）去除，分形成接觸塊（3）和焊盤（5）。

5.根據權利要求1~3任一項所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：所述的絲印填錫工藝具體包括如下流程：通過預先準備設計方案圖形的絲網印版，在絲網印版一端倒入充導電介質（1），使用刮板從絲網印版的一端勻速移動至另一端，刮板在勻速移動的過程中對充導電介質（1）施加壓力，錫膏在移動中被刮板從圖文部分的網孔中擠壓到基材（4）上，最后對錫膏進行固化。

6.根據權利要求1所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：設置有正對導電介質（1）的氣嘴，在所述導電介質（1）的固化過程中氣嘴向導電介質（1）噴出氣體，導電介質（1）受到氣壓后充滿過孔（6）并與過孔（6）的內壁貼合。

7.根據權利要求1或6所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：所述的導電介質（1）為錫膏。

8.根據權利要求1所述的實現CSP芯片卷對卷生產的倒貼封裝載帶制造方法，其特征在于：在所述的步驟a中，所述的基材（4）采用環氧樹脂纖維布。

9.利用權利要求1~8任一項的制造方法制成的載帶，包括基材（4），在基材（4）的兩面分別設置有接觸塊（3）和焊盤（5），接觸塊（3）和焊盤（5）在基材（4）的正反兩面一一對應并導通，其特征在于：設置有貫穿所述基材（4）以及焊盤（5）的過孔（6），在過孔（6）內填充有導電介質（1），導電介質（1）充滿過孔（6）并與焊盤（5）的內壁貼合。

10.根據權利要求9所述的載帶，其特征在于：在所述的接觸塊（3）和焊盤（5）表面還設置有復合金屬層（2）。