[發明專利]鍍膜設備及其鍍膜方法

有效

• 申請號: 202010517576.0
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112981375B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 宗堅
• 申請（專利權）人: 江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一鍍膜方法，用于在一基材表面形成膜層，包括步驟：

（a）布置該基材于一腔室體的一反應腔中的一單體釋放源與一等離子激發源之間的位置；以及

（b）通過所述單體釋放源，引入一膜層形成材料進入所述反應腔中，以供在所述等離子激發源的作用下在該基材的表面上形成一聚合物膜層；

反復地來回移動該基材于所述單體釋放源和所述等離子激發源之間，通過調節該基材在所述單體釋放源和所述等離子激發源之間的移動路徑、移動速度、節奏、滯留時間、循環時間或移動時間，控制膜層中分子間的分支和交聯比例。

2.根據權利要求1所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：圍繞所述等離子激發源旋轉該基材。

3.根據權利要求1所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：支撐該基材于一支撐架并使該基材位于所述單體釋放源和所述等離子激發源之間。

4.根據權利要求3所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：放置所述支撐架于所述腔室體的一基材定位區，其中所述基材定位區位于所述單體釋放源和所述等離子激發源之間。

5.根據權利要求3所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：可移動地安裝所述支撐架于所述腔室體。

6.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其中所述等離子激發源被安裝于所述腔室體并與所述單體釋放源相間隔。

7.根據權利要求3所述的鍍膜方法，其中所述等離子激發源被安裝于所述支撐架的一側。

8.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其中所述腔室體具有兩面相對的側壁，其中所述單體釋放源和所述等離子激發源被分別地置于所述腔室體的所述反應腔的相互對應的兩側壁的位置。

9.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其中所述腔室體具有一側壁，其中所述單體釋放源和所述等離子激發源被置于所述腔室體的所述側壁并相間隔。

10.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其中所述腔室體具有兩面相鄰的側壁，其中所述單體釋放源和所述等離子激發源被分別置于所述腔室體的所述兩面相鄰的側壁。

11.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：通過所述單體釋放源從所述反應腔的一側朝向另外一相反側地向所述反應腔內引入該膜層成形材料。

12.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：通過多個所述單體釋放源從所述反應腔的周圍向所述反應腔內引入該膜層成形材料。

13.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，進一步包括步驟：通過所述單體釋放源從所述反應腔的頂側向所述反應腔內引入該膜層成形材料。

14.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，其中所述等離子激發源的放電方式選自以下組合中的一種或多種：直流放電，交流放電，音頻放電，射頻放電，微波放電，中頻放電，潘寧放電，火花放電和脈沖放電。

15.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，其中所述等離子激發源包括一電極裝置，以供施加電力于該膜層形成材料，其中所述電極裝置包括一對用于實施射頻放電的電極。

16.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，其中所述等離子激發源包括一電極裝置，以供施加電力于該膜層形成材料，其中所述電極裝置包括于所述反應腔中延伸的一平面電極。

17.根據權利要求1至10中任一所述的鍍膜方法，其中所述腔室體的所述反應腔的橫截面選自以下組合中的一種：圓形，橢圓形，和多邊形形狀。