[發(fā)明專利]多層電子組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010517359.1
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112447398B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金樽賢;康諧率;具本錫;景山;崔暢學(xué);金政民
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G4/232
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 曹志博;劉雪珂

1.一種多層電子組件，包括：

主體，包括介電層和內(nèi)電極；以及

外電極，包括設(shè)置在所述主體上并且連接到所述內(nèi)電極的電極層以及設(shè)置在所述電極層上的導(dǎo)電樹脂層，

其中，所述導(dǎo)電樹脂層包括金屬線、導(dǎo)電金屬顆粒和基體樹脂，

所述導(dǎo)電金屬顆粒包括球形顆粒和片狀顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述金屬線包括從由Ag、Cu、Ni和它們的合金組成的組中選擇的一種或更多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的直徑大于等于5nm且小于等于300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的長度大于等于50nm且小于等于100μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的長度與所述金屬線的直徑的比大于等于10且小于等于1200。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述導(dǎo)電樹脂層中的所述金屬線的質(zhì)量與所述金屬線的質(zhì)量和所述導(dǎo)電金屬顆粒的質(zhì)量之和的比大于等于0.1wt％且小于5wt％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，在所述導(dǎo)電樹脂層的截面表面上，在水平邊×豎直邊的尺寸為10μm×10μm的區(qū)域中設(shè)置有一條或更多條所述金屬線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，

其中，所述球形顆粒的長軸與短軸之間的長度比為1.45或更小，并且

其中，所述片狀顆粒的長軸與短軸之間的長度比為1.95或更大。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述片狀顆粒的短軸為300nm或更大。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述球形顆粒的平均顆粒尺寸為300nm或更大。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述電極層包含另一導(dǎo)電金屬和玻璃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述外電極還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電樹脂層上的鍍層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述導(dǎo)電金屬顆粒的短軸大于所述金屬線的直徑。

14.一種多層電子組件，包括：

主體，包括介電層和內(nèi)電極；以及

外電極，包括設(shè)置在所述主體上并且連接到所述內(nèi)電極的電極層以及設(shè)置在所述電極層上的導(dǎo)電樹脂層，

其中，所述導(dǎo)電樹脂層包括金屬線、導(dǎo)電金屬顆粒和基體樹脂，

所述金屬線的長度與所述金屬線的直徑的比為10或更大，并且

所述導(dǎo)電金屬顆粒的長軸與短軸的比不小于1.95，

所述導(dǎo)電金屬顆粒包括球形顆粒和片狀顆粒。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的長度與所述金屬線的直徑的比為1200或更小。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的直徑大于等于5nm且小于等于300nm。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述金屬線的長度大于等于50nm且小于等于100μm。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電子組件，其中，所述導(dǎo)電金屬顆粒的短軸大于所述金屬線的直徑。