[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010516723.2 | 申請日: | 2020-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN111627973B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 王文濤;史大為;王培;楊璐;段岑鴻;溫宵松;李柯遠;趙東升;陳兵 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶麗;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,包括顯示區和位于顯示區一側的第一邊緣區、彎折區、第二邊緣區和驅動芯片區,顯示基板從下至上包括基底、第一刻蝕阻擋層、第二刻蝕阻擋層和數據線,第一刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋部,第二刻蝕阻擋層包括第二刻蝕阻擋部,第一刻蝕阻擋部和第二刻蝕阻擋部在第一邊緣區和第二邊緣區分別沿第二方向排列,第一刻蝕阻擋部在基底上正投影和第二刻蝕阻擋部在基底上正投影包含重疊區域;數據線在基底上正投影和第一刻蝕阻擋部在基底上正投影包含重疊區域,和第二刻蝕阻擋部在基底上正投影不包含重疊區域。本申請能夠在第一刻蝕阻擋部和第二刻蝕阻擋部位置形成臺階結構的凹槽,避免由于凹槽段差太大產生金屬殘留。
技術領域
本申請涉及但不限于顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
與其他的顯示技術相比,有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)顯示技術,具有輕薄、高對比度、低響應時間、色彩高飽和等一系列優點,其中,可彎折特性是其最突出的優點之一。
為了避免彎折過程中無機層斷裂導致信號線斷線,如圖1和圖2所示,彎折區300數據線下方的無機層需要被刻蝕掉。為了減少工藝、提升產能,一些技術通過彎折區域一次刻蝕(Edge Bending one Step)工藝對彎折區進行刻蝕,形成深孔。但是,由于一次刻蝕工藝刻蝕的無機層厚度較大,深孔區域的坡度角通常較大,此外,由于刻蝕深度較深,金屬走線曝光及刻蝕時容易產生金屬殘留21,從而造成數據線20之間短路,影響顯示效果。
發明內容
本申請實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,能夠減小深孔區域的坡度角,防止產生金屬殘留。
本申請實施例提供了一種顯示基板,包括:顯示區和位于所述顯示區一側的第一邊緣區、彎折區、第二邊緣區和驅動芯片區,所述第一邊緣區位于所述彎折區靠近所述顯示區一側的邊緣區域,所述第二邊緣區位于所述彎折區遠離所述顯示區一側的邊緣區域,所述驅動芯片區位于所述第二邊緣區遠離所述顯示區的一側,其中:所述顯示基板包括基底、位于基底上方的第一刻蝕阻擋層、位于第一刻蝕阻擋層上方的第二刻蝕阻擋層以及位于第二刻蝕阻擋層上方的數據線層,所述第一刻蝕阻擋層包括多個第一刻蝕阻擋部,所述第二刻蝕阻擋層包括多個第二刻蝕阻擋部,所述第一刻蝕阻擋部和第二刻蝕阻擋部在所述第一邊緣區和第二邊緣區分別沿第二方向排列,所述第一刻蝕阻擋部在基底上的正投影和第二刻蝕阻擋部在基底上的正投影包含重疊區域;所述數據線層包括多條數據線,所述數據線從所述顯示區沿第一方向延伸,經過所述第一邊緣區、彎折區和第二邊緣區連接至所述驅動芯片區,所述數據線在基底上的正投影和所述第一刻蝕阻擋部在基底上的正投影包含重疊區域,所述數據線在基底上的正投影和所述第二刻蝕阻擋部在基底上的正投影不包含重疊區域。
在一些可能的實現方式中,所述顯示基板還包括位于所述基底上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的有源層、覆蓋所述有源層的第二絕緣層、位于所述第二絕緣層上的第一柵電極層、覆蓋所述第一柵電極層的第三絕緣層以及位于所述第三絕緣層上的第二柵電極層;所述第一刻蝕阻擋層和所述第一柵電極層同層設置;所述第二刻蝕阻擋層和所述第二柵電極層同層設置。
在一些可能的實現方式中,所述第一邊緣區和第二邊緣區分別包括多個所述第一刻蝕阻擋部,沿第二方向相鄰的兩個第一刻蝕阻擋部之間設置一個所述第二刻蝕阻擋部,所述第二刻蝕阻擋部在基底上的正投影和所述沿第二方向相鄰的兩個第一刻蝕阻擋部在基底上的正投影均包含重疊區域。
在一些可能的實現方式中,所述顯示基板還包括覆蓋所述第二柵電極層的第四絕緣層以及位于所述第四絕緣層上的第一源漏電極層,所述數據線層和所述第一源漏電極層同層設置。
在一些可能的實現方式中,所述顯示基板還包括位于所述基底上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的有源層、覆蓋所述有源層的第二絕緣層以及位于所述第二絕緣層上的第一柵電極層;所述第一刻蝕阻擋層和所述有源層同層設置;所述第二刻蝕阻擋層和所述第一柵電極層同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





