[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202010516208.4
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111697057B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 韓廣濤
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L23/528;H01L21/329
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 馬陸娟

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

N型摻雜區，位于所述襯底中；

金屬結構，位于所述襯底表面并包括中間部分與邊緣部分，所述中間部分與所述N型摻雜區接觸以形成肖特基二極管；

第一P型阱區，位于所述N型摻雜區中與所述邊緣部分接觸，并將所述邊緣部分與所述N型摻雜區隔開；以及

第一P型接觸區，位于所述第一P型阱區中，并與所述邊緣部分隔開，

其中，所述第一P型接觸區的摻雜濃度高于所述第一P型阱區的摻雜濃度，在所述第一P型接觸區接地的狀態下，所述第一P型阱區用于接收所述肖特基二極管的陽極電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

N型阱區，位于所述N型摻雜區中并與所述邊緣部分隔開；以及

第一N型接觸區，位于所述N型阱區中，所述第一N型接觸區的摻雜濃度高于所述N型阱區的摻雜濃度，

其中，所述第一N型接觸區用于接收所述肖特基二極管的陰極電壓。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述N型阱區圍繞所述第一P型阱區。

4.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

第二P型阱區，位于所述襯底中；以及

第二P型接觸區，位于所述第二P型阱區中并接地，

其中，所述襯底的摻雜類型為P型。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第二P型阱區圍繞所述N型摻雜區。

6.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括多個隔離部，分別位于所述第一P型接觸區與所述邊緣部分之間、所述第一P型接觸區與所述第一N型接觸區之間以及所述第一N型接觸區與所述第二P型接觸區之間。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

第二N型接觸區，位于所述第一P型阱區中與所述邊緣部分接觸，所述第二N型接觸區的摻雜濃度高于所述第一P型阱區的摻雜濃度，

其中，所述第二N型接觸區用于接收所述肖特基二極管的陽極電壓。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

絕緣層，位于所述襯底上并覆蓋所述金屬結構，所述絕緣層具有暴露所述邊緣部分的陽極接觸孔，所述陽極接觸孔的位置與所述第二N型接觸區對應。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，還包括多個導電結構，分別與所述第一P型接觸區、所述第二P型接觸區以及所述第一N型接觸區接觸，

所述絕緣結構還具有陰極接觸孔與地接觸孔，所述陰極接觸孔暴露覆蓋所述第一N型接觸區的所述導電結構，所述地接觸孔分別暴露覆蓋所述第一P型接觸區與所述第二P型接觸區的所述導電結構。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述多個隔離部包括淺槽隔離部和/或硅局部氧化隔離部。

11.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：形成如權利要求1至10任一項所述的半導體結構。