[發明專利]模數轉換電路與電子裝置

有效

• 申請號: 202010514815.7
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111585576B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 許萊
• 申請（專利權）人: 高拓訊達（北京）科技有限公司
• 主分類號: H03M1/12
• 分類號: H03M1/12
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種模數轉換電路，其特征在于，具有電壓正輸入端、電壓負輸入端、參考電壓端和接地端，還包括：

采樣電容陣列，包括第一采樣電容陣列和第二采樣電容陣列，所述第一采樣電容陣列包括多個第一采樣電容，所述第二采樣電容陣列包括多個第二采樣電容；

采樣開關陣列，包括第一上極板開關陣列和第二上極板開關陣列，所述第一上極板開關陣列包括多個第一上極板開關單元，所述第二上極板開關陣列包括多個第二上極板開關單元，所述第一上極板開關單元用于連接所述第一采樣電容的上極板和第一預定端，所述第一預定端為所述電壓正輸入端、所述參考電壓端和所述接地端中的一個，所述第二上極板開關單元用于連接所述第二采樣電容的上極板和第二預定端，所述第二預定端為所述電壓負輸入端、所述參考電壓端和所述接地端中的一個；

至少一個比較器，包括正輸入端和負輸入端，各所述第一采樣電容的下極板分別與所述正輸入端連接，各所述第二采樣電容的下極板分別與所述負輸入端連接；

第一下極板開關，所述第一下極板開關的第一端與所述參考電壓端連接，所述第一下極板開關的第二端與所述比較器的正輸入端連接；

第二下極板開關，所述第二下極板開關的第一端與所述參考電壓端連接，所述第二下極板開關的第二端與所述比較器的負輸入端連接；

第一寄生電容，所述第一寄生電容的第一端與所述比較器的正輸入端連接，所述第一寄生電容的第二端與所述接地端連接；

第二寄生電容，所述第二寄生電容的第一端與所述比較器的負輸入端連接，所述第二寄生電容的第二端與所述接地端連接，

所述模數轉換電路還包括：

SAR邏輯單元，所述SAR邏輯單元的輸入端與所述比較器的輸出端連接，所述SAR邏輯單元的第一輸出端與所述第一上極板開關陣列連接，所述SAR邏輯單元的第二輸出端與所述第二上極板開關陣列連接，所述SAR邏輯單元根據所述比較器的輸出控制各所述第一上極板開關單元的狀態，以控制各所述第一采樣電容的上極板和所述第一預定端連接，所述SAR邏輯單元還根據所述比較器的輸出控制各所述第二上極板開關單元的狀態，以控制各所述第二采樣電容的上極板和所述第二預定端連接，

各所述第一上極板開關單元包括多個第一晶體管，所述SAR邏輯單元通過控制各所述第一晶體管的斷開與閉合，以控制各所述第一采樣電容的上極板和所述第一預定端連接，各所述第二上極板開關單元包括多個第二晶體管，所述SAR邏輯單元通過控制各所述第二晶體管的斷開與閉合，以控制各所述第二采樣電容的上極板和所述第二預定端連接，

所述第一上極板開關單元具有第一DAC控制信號端、第一DAC使能信號端、第一自舉時鐘信號接入端、第一參考電壓接入端、第一輸入信號接入端、第一接地信號接入端和第一輸出信號端，所述第一晶體管有四個分別為：第一N型MOS管、第一P型MOS管、第二N型MOS管和第三N型MOS管，所述第一N型MOS管的柵極與所述第一自舉時鐘信號接入端連接，所述第一N型MOS管的源極與所述第一輸入信號接入端連接，所述第一N型MOS管的漏極分別與所述第一P型MOS管的漏極、所述第二N型MOS管的漏極以及所述第一輸出信號端連接，所述第一P型MOS管的源極與所述第一參考電壓接入端連接，所述第一P型MOS管的柵極與所述第一DAC控制信號端連接，所述第二N型MOS管的柵極與所述第一DAC使能信號端連接，所述第二N型MOS管的源極與所述第三N型MOS管的漏極連接，所述第三N型MOS管的柵極與所述第一DAC控制信號端連接，所述第三N型MOS管的源極與所述第一接地信號接入端連接，所述第一DAC控制信號端與所述SAR邏輯單元的第一輸出端連接，所述第一參考電壓接入端與所述參考電壓端連接，所述第一輸入信號接入端與所述電壓正輸入端連接，所述第一接地信號接入端與所述接地端連接，所述第一輸出信號端與對應的所述第一采樣電容的上極板連接。

2.根據權利要求1所述的模數轉換電路，其特征在于，所述第一采樣電容有N-1個，所述第二采樣電容有N-1個，N為所述模數轉換電路的比特數。

3.根據權利要求1所述的模數轉換電路，其特征在于，所述第一晶體管包括MOS和/或BJT，所述第二晶體管包括MOS管和/或BJT。