[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010513498.7
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111697007A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡小波
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：若干金屬走線，其中至少一個金屬走線具有：

第一金屬層；以及

第二金屬層，設(shè)于所述第一金屬層上；

第三金屬層，設(shè)于所述第二金屬層上；

其中，所述第三金屬層遠離所述第二金屬層的一側(cè)具有連續(xù)的凸起，所述凸起用以將所述第三金屬層遠離所述第二金屬層的一側(cè)形成凹凸不平的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，

所述若干金屬走線包括源漏電極走線及柵極走線。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，還包括：

基板；

所述柵極走線設(shè)于所述基板上；

柵極絕緣層，設(shè)于所述基板上且覆蓋所述柵極走線；

半導(dǎo)體層，設(shè)于所述柵極絕緣層上；

所述源漏電極走線設(shè)于所述柵極絕緣層上且連接所述半導(dǎo)體層；

鈍化層，設(shè)于所述源漏電極走線以及所述半導(dǎo)體層上。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，

所述第一金屬層與所述三金屬層的材料包括鉬合金材料；

所述鉬合金材料還包括Ti、Ni、Ta、W中的至少一種金屬元素。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，

所述第二金屬層的材料包括銅。

6.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，還包括

像素電極，設(shè)于所述鈍化層上且連接所述源漏電極走線。

7.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，

所述源漏電極走線包括源極走線以及漏級走線；

所述源極走線以及所述漏級走線分別設(shè)于所述半導(dǎo)體層的兩端。

8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，

所述鈍化層開設(shè)有通孔，所述通孔向下延伸至所述源漏電極走線的表面，所述像素電極通過所述通孔連接所述源漏電極走線。

9.一種制備方法，用于制備如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，包括至少一個步驟：制備至少一金屬走線；

所述的制備至少一金屬走線的步驟包括：

形成所述第一金屬層；

形成所述第二金屬層于所述第一金屬層上；

形成所述第三金屬層于所述第二金屬層上；以及

將所述第三金屬層遠離所述第二金屬層的一側(cè)的表面進行等離子處理，增大表面粗糙度。

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，還包括：

提供一基板；

依次沉積所述第一金屬層、所述第二金屬層及所述第三金屬層于所述基板上，圖案化后形成柵極走線；

形成一柵極絕緣層于所述基板上且覆蓋所述柵極走線；

形成一半導(dǎo)體層于所述柵極絕緣層上；

依次沉積所述第一金屬層、所述第二金屬層及所述第三金屬層于所述柵極絕緣層上，圖案化后形成源漏電極走線，所述源漏電極走線連接所述半導(dǎo)體層；

形成鈍化層于所述源漏電極走線以及所述半導(dǎo)體層上。