[發明專利]半導體設備的反應腔室

有效

• 申請號: 202010513042.0
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111739820B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 王勇飛;史小平;鄭波;蘭云峰
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687
• 代理公司: 北京思創畢升專利事務所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

1.一種半導體設備的反應腔室，包括用于承載晶片的基座(7)和晶片升降裝置，其特征在于，所述晶片升降裝置包括：基座升降組件和晶片升降組件；

所述基座升降組件包括升降軸，所述升降軸的一端伸入所述反應腔室(1)內且與基座(7)連接，所述升降軸用于通過帶動所述基座(7)做升降運動，向所述晶片升降組件施加作用力；

所述晶片升降組件設置于所述反應腔室內，與所述反應腔室的底壁相固接，所述晶片升降組件包括：

支撐盤(44)，所述支撐盤(44)位于所述基座(7)的下方，且所述支撐盤(44)中間開設有一中心通孔，所述升降軸的一端穿過所述中心通孔與所述基座(7)連接；

至少兩個支撐柱(4)，所述至少兩個支撐柱(4)沿所述支撐盤(44)周向分布，每個所述支撐柱(4)的一端連接于所述支撐盤(44)的上表面，另一端穿過所述基座(7)；

支撐柱升降機構，所述支撐柱升降機構設置于所述基座(7)的下方，所述支撐柱升降機構與所述支撐盤(44)傳動連接，用于在所述基座(7)下降或上升時，通過所述支撐盤(44)支撐并帶動所述支撐柱(4)進行升降運動，以帶動所述晶片上升或下降。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述晶片升降裝置還包括調平板(8)，所述調平板(8)設置于所述反應腔室(1)的底壁上，用于調整所述支撐盤(44)的水平度。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，沿所述調平板(8)的周向上分布有多個導向孔(9)和多個螺紋孔(10)，所述導向孔(9)內設有定位銷，所述定位銷與所述反應腔室(1)的底壁連接，所述螺紋孔(10)內設有頂絲螺桿，用于調整所述調平板(8)的水平度。

4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述支撐柱升降機構包括沿所述調平板(8)的周向設置的多組傳動連接件，每組傳動連接件包括傳動連接的主動件和從動件。

5.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述從動件包括依次鉸接的第一連桿(42)、第二連桿(38)和第一支座(40)，所述第一支座(40)固定連接于所述調平板(8)上，所述第一連桿(42)的一端與所述支撐盤(44)鉸接，另一端與所述第二連桿(38)的一端鉸接，所述第一連桿(42)與所述第二連桿(38)之間形成第一可變夾角。

6.根據權利要求5所述的反應腔室，其特征在于，沿所述基座(7)的徑向，所述主動件位于所述從動件的外側，所述主動件包括第二支座(35)和第三連桿(33)，所述第二支座(35)固定連接于所述調平板(8)上，所述第三連桿(33)為人字形，包括第一桿部和第二桿部，所述第一桿部和所述第二桿部的連接處鉸接于所述第二支座(35)上，所述第一桿部朝所述基座(7)延伸，所述第二桿部朝所述第二連桿(38)的下方延伸，并與所述第二連桿(38)接觸；

所述基座(7)向下運動時，所述第三連桿(33)用于將所述基座(7)施加的作用力傳導至所述第二連桿(38)上，以使所述第二連桿(38)繞所述第一支座(40)轉動、所述第一可變夾角增大；所述第二連桿(38)用于支撐并帶動所述支撐盤(44)向上運動，以帶動所述支撐柱(4)向上運動；

所述基座(7)向上運動時，所述第三連桿(33)用于帶動所述第二連桿(38)繞所述第一支座(40)向下回落、所述第一可變夾角變小；所述第二連桿(38)用于帶動支撐盤(44)向下運動，以帶動所述支撐柱(4)向下運動。

7.根據權利要求6所述的反應腔室，其特征在于，所述第二桿部的長度為L1，所述第二連桿(38)的長度為L2，L1L2，所述第一支座(40)與所述第二支座(35)的距離為m，m滿足L2mL2+L1。